MOSFET的驅動(dòng)技術(shù)及應用
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在GS之間并一個(gè)電阻.
那么仿真的結果呢：
幾乎為0V.
什么叫驅動(dòng)能力，很多PWM芯片，或者專(zhuān)門(mén)的驅動(dòng)芯片都會(huì )說(shuō)驅動(dòng)能力，比如384X的驅動(dòng)能力為1A，其含義是什么呢?
假如驅動(dòng)是個(gè)理想脈沖源，那么其驅動(dòng)能力就是無(wú)窮大，想提供多大電流就給多大。但實(shí)際中，驅動(dòng)是有內阻的，假設其內阻為10歐姆，在10V電壓下，最多能提供的峰值電流就是1A，通常也認為其驅動(dòng)能力為1A。
那什么叫驅動(dòng)電阻呢，通常驅動(dòng)器和MOS的G極之間，會(huì )串一個(gè)電阻，就如下圖的R3。
驅動(dòng)電阻的作用，如果你的驅動(dòng)走線(xiàn)很長(cháng)，驅動(dòng)電阻可以對走線(xiàn)電感和MOS結電容引起的震蕩起阻尼作用。但是通常，現在的PCB走線(xiàn)都很緊湊，走線(xiàn)電感非常小。
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