3GHz+！三星將基于5nm/7nm打造采用ARM A76架構的IP

　　三星的7nm工藝，選擇直接導入先進(jìn)的EUV(極紫外光刻)技術(shù)，由此在進(jìn)度上稍顯吃虧，尤其是落后自己的“宿敵”臺積電。

　　在6月初ARM宣布新的Cortex A76公版架構時(shí)，樣片就是由臺積電的7nm打造，當時(shí)頻率最高達到了3.3GHz，參考值也達到了3GHz。

　　這種局面，三星當然不會(huì )坐視。

　　三星電子在韓國舉辦的鑄造論壇期間宣布，和ARM(安謀)的戰略級代工合作推進(jìn)到7nm/5nm上。具體來(lái)說(shuō)，由三星7nm LPP和5nm LPE打造的A76芯片可以實(shí)現3GHz以上的頻率。

　　臺積電版ARM A76性能效果圖

　　三星還透露，7LPP將從2018年下半年開(kāi)始早期生產(chǎn)，采用EUV技術(shù)的IP預計明年上半年完工。

　　除了CPU和GPU，三星還拿到了ARM的Artisan physical IP授權，包括全套的內存編譯器、1.8V/3.3V通用輸入輸出庫等等，可加速開(kāi)發(fā)過(guò)程、優(yōu)化開(kāi)發(fā)結果。

　　另外，三星還確認其路線(xiàn)圖推進(jìn)到了3nm GAAE(Gate-All-Around Early)工藝。

　　那么問(wèn)題了，除了Exynos，三星的7nm A76芯片會(huì )有高通、華為這些客戶(hù)嗎?