英飛凌、三菱、富士占據大市場(chǎng),我國大功率半導體急需突破
支持我國自主大功率半導體產(chǎn)業(yè)加快發(fā)展,給予國產(chǎn)品牌更多市場(chǎng)推廣和應用機會(huì )。
本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/201803/377127.htm大功率半導體主要包括IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)、雙極器件、寬禁帶器件等產(chǎn)品,主要應用于新能源汽車(chē)、軌道交通、智能電網(wǎng)、新能源發(fā)電、艦船驅動(dòng)、重型工業(yè)設備等多個(gè)涉及國計民生的領(lǐng)域。隨著(zhù)世界各國對節能減排、智能制造、國防軍工優(yōu)化升級等的迫切需求,大功率半導體器件將成為以上諸多領(lǐng)域發(fā)展的核心之一,并將影響國民經(jīng)濟的發(fā)展質(zhì)量和安全。
當前,我國大功率半導體市場(chǎng)主要被英飛凌、三菱、富士等外國公司占據,這嚴重制約了核心國產(chǎn)技術(shù)的發(fā)展。
全國人大代表周清和建議,國家有關(guān)部門(mén)在重大工程招標中加大對自主IGBT產(chǎn)品的支持力度?;谧灾鱅GBT產(chǎn)品應用市場(chǎng)拓展、終端用戶(hù)信任度培育考慮,在重大工程招標過(guò)程中,招標文件里明確關(guān)鍵裝備中自主IGBT器件國產(chǎn)化率不低于50%;同時(shí)在政府示范應用工程中為自主IGBT產(chǎn)品提供應用機會(huì )。
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