5大跡象顯示內存芯片「超級循環(huán)」將結束

　　財經(jīng)部落格《Seeking Alpha》專(zhuān)欄作家指出，在蘋(píng)果下調 iPhoneX 產(chǎn)量，以及大陸半導體公司預計在 2019 年將完成內存廠(chǎng)設置，內存的供需出現變化，在產(chǎn)能預期可提升的情況下，全球 DRAM 的平均售價(jià)將降低。

　　《Seeking Alpha》專(zhuān)欄作家 Robert Castellano 表示，有 5 大跡象顯示，內存的「超級循環(huán)」即將結束。

　　1. 內存平均售價(jià)呈現下滑

　　作者根據 Korea Investment & Securities 提供的數據，統整 2016 年至 2018 年 NAND 和 DRAM 平均銷(xiāo)售價(jià)格 (ASPs)，數據顯示三星電子 SK 海力士的 NAND 和 DRAM 平均銷(xiāo)售 價(jià)格變化，在最近幾季呈現下滑趨勢。

　　三星 NAND 和 DRAM 平均銷(xiāo)售價(jià)格變化

　　SK 海力士的 NAND 和 DRAM 平均銷(xiāo)售價(jià)格變化

　　2. 大陸發(fā)改委和三星簽署備忘錄

　　大陸國家發(fā)展和改革委員會(huì )與三星電子在芯片合作方面簽署備忘錄，將在芯片生產(chǎn)、人工智能與半導體制造等領(lǐng)域進(jìn)行潛在的合作，業(yè)界分析，雙方的合作將可能使全球 DRAM 降價(jià)與增產(chǎn)。

　　3. 三星 NAND 閃存擴充產(chǎn)能量減少

　　三星電子決定在 2018 年提升內存產(chǎn)能，以限制競爭對手的利潤成長(cháng)，并提高對潛在中國競爭對手的進(jìn)入壁壘 (Barriers to entry)。 三星原先預計在韓國平澤的工廠(chǎng)，開(kāi)辟樓層建立新的 NAND 閃存生產(chǎn)線(xiàn)，但在價(jià)格下降后，三星將計劃改為，在二樓部份區域建立 DRAM 生產(chǎn)線(xiàn)。

　　DRAMexchange 預計 2018 年 DRAM 供給位預計成長(cháng) 22.5%，高于 2017 年的約 19.5%。 而 2018 年 DRAM 的收入預計將成長(cháng) 30%，遠低于 2017 年的 76%營(yíng)收成長(cháng)。

　　4. 大陸廠(chǎng)商完成內存生產(chǎn)工廠(chǎng)設置

　　大陸半導體廠(chǎng)商的內存工廠(chǎng)，可能最快在 2019 年下旬即可開(kāi)始營(yíng)運，位于福建的晉華集成電路公司指出，工程進(jìn)度加快，預計在今年 10 月將完成主要工廠(chǎng)的結構建設，而總部位于武漢的長(cháng)江存儲科技公司將投資 24 億美元 建設 3 座大型 3D NAND 閃存制造工廠(chǎng)，一號工廠(chǎng)預計將于 2018 年正式開(kāi)始生產(chǎn)，月產(chǎn)能約為 30 萬(wàn)片晶圓，最后，位于合肥的睿力集成電路公司，購買(mǎi)了一批 DRAM 生產(chǎn)器具。

　　此外，蘋(píng)果 (AAPL-US) 正在與長(cháng)江存儲科技公司接洽，將可能向他們購買(mǎi)內存芯片，目前蘋(píng)果的 NAND 閃存供貨商為東芝、威騰電子、三星與 SK 海力士。

　　5. 蘋(píng)果下修 iPhone X 產(chǎn)量達一半

　　上海研究公司 CINNO 的分析師 Sean Yang 指出，蘋(píng)果為這些芯片的最大消費者，2017 年占全球總需求量的 1.6%，約為 1.6 億千兆位組 (gigabytes)。 iPhone X 的產(chǎn)量減少，意味著(zhù)內存芯片的消費者減少，將使 NAND 和 DRAM 和平均售價(jià)上升幅度減緩。