三星第二代10nm級別8Gb DDR4內存投產(chǎn)，以后高頻條3600MHz起跳

　　三星剛才宣布量產(chǎn)第二代10nm級別(1y-nm)的8Gb DDR4內存顆粒，新的內存具備更高的頻率與更低的供貨，以及更小的尺寸，產(chǎn)能可以比初代10nm級別(1x-nm)的高30%，然而價(jià)格嘛……應該暫時(shí)不會(huì )降。

　　新的1y-nm 8Gb DDR4顆粒采用了先進(jìn)的專(zhuān)用電路設計技術(shù)，性能水平與效能會(huì )比1x-nm的高約10%到15%，它能夠在3600MHz下運行，而1x-nm的8Gb DDR4顆粒則是3200MHz，也就是說(shuō)以后的高頻內存要以3600MHz起步了。

　　目前1y-nm內存的生產(chǎn)還沒(méi)有用上EUV極紫外光設備，這次用的是高靈敏度細胞數據傳感系統(high-sensitivity cell data sensing system)與空氣墊片(air spacer)方案，前者可以更準確地確定每個(gè)單元中存儲的數據，從而顯著(zhù)提高電路集成度和生產(chǎn)效率，后者是在位線(xiàn)周?chē)贾锚毺氐目諝鈮|片，這樣可以顯著(zhù)降低寄生電容。

　　現在1y-nm DDR4內存模組已經(jīng)完成了與CPU廠(chǎng)商的相關(guān)驗證工作，接下來(lái)計劃于全球IT客戶(hù)合作，開(kāi)發(fā)下一代計算系統，隨著(zhù)1y-nm內存投產(chǎn)所帶來(lái)的技術(shù)儲備，三星可以加速下一代內存產(chǎn)品DDR5、HBM3、LPDDR5以及GDDR6上的研發(fā)，可以進(jìn)一步鞏固三星在存儲市場(chǎng)上的地位。