“英特爾精尖制造日”首推全球晶體管密度最高的制程工藝

　　“英特爾精尖制造日”活動(dòng)今天舉行，展示了英特爾制程工藝的多項重要進(jìn)展，包括：英特爾10納米制程功耗和性能的最新細節，英特爾首款10納米FPGA的計劃，并宣布了業(yè)內首款面向數據中心應用的64層3D NAND產(chǎn)品已實(shí)現商用并出貨。

　　“英特爾遵循摩爾定律，持續向前推進(jìn)制程工藝，每一代都會(huì )帶來(lái)更強的功能和性能、更高的能效、更低的晶體管成本，”英特爾公司執行副總裁兼制造、運營(yíng)與銷(xiāo)售集團總裁Stacy Smith表示，“很高興首次在中國與大家分享英特爾制程工藝路線(xiàn)圖中的多項重要進(jìn)展，展現了我們持續推動(dòng)摩爾定律向前發(fā)展所獲得的豐碩成果。”

　　英特爾公司全球副總裁兼中國區總裁楊旭

　　英特爾公司全球副總裁兼中國區總裁楊旭歡迎來(lái)自合作伙伴、客戶(hù)、政府部門(mén)和學(xué)術(shù)界的嘉賓以及新聞媒體出席2017年9月19日在北京舉行的“英特爾精尖制造日”活動(dòng)。此次活動(dòng)著(zhù)眼于快速發(fā)展的中國技術(shù)生態(tài)系統，重申英特爾與中國半導體產(chǎn)業(yè)共成長(cháng)的承諾。英特爾在中國深耕32年，打造了世界級的晶圓制造和封裝測試工廠(chǎng)，自2004年以來(lái)在華協(xié)議總投入達130億美元。

　　Stacy Smith進(jìn)一步表示，英特爾推動(dòng)摩爾定律向前發(fā)展的能力——每一年都持續降低產(chǎn)品價(jià)格并提升其性能——是英特爾的核心競爭優(yōu)勢。英特爾一直以來(lái)都是并將繼續成為推動(dòng)摩爾定律向前發(fā)展的技術(shù)領(lǐng)導者，目前英特爾在制程工藝上保持著(zhù)大約三年的領(lǐng)先性。

　　披露10納米制程的功耗和性能最新進(jìn)展

　　英特爾高級院士馬博(Mark Bohr)介紹了英特爾10納米制程工藝的最新細節，展現了英特爾的技術(shù)領(lǐng)先性。在晶體管密度和晶體管性能方面，英特爾10納米均領(lǐng)先其他競爭友商“10納米”整整一代。通過(guò)采用超微縮技術(shù)(hyper scaling)，英特爾10納米制程工藝擁有世界上最密集的晶體管和最小的金屬間距，從而實(shí)現了業(yè)內最高的晶體管密度。超微縮指的是英特爾在14納米和10納米制程節點(diǎn)上提升2.7倍晶體管密度的技術(shù)。在此次“英特爾精尖制造日”活動(dòng)上，英特爾“Cannon Lake”10納米晶圓全球首次公開(kāi)亮相。

　　英特爾公司執行副總裁兼制造、運營(yíng)與銷(xiāo)售集團總裁Stacy Smith全球首次展示“Cannon Lake”10納米晶圓，采用超微縮技術(shù)，擁有世界上最密集的晶體管和最小的金屬間距，從而實(shí)現了業(yè)內最高的晶體管密度。

　　馬博還演示了他提出的晶體管密度計算公式 ，用以規范晶體管密度的通用衡量標準，以此厘清當前業(yè)內制程節點(diǎn)命名亂象，這也是英特爾不懈的堅持和努力，將有助于更加容易地比較不同廠(chǎng)商之間的技術(shù)。

　　介紹22FFL的功耗和性能最新進(jìn)展

　　馬博同時(shí)介紹了英特爾22FFL功耗和性能的最新細節。22FFL是在2017年3月美國“英特爾精尖制造日”活動(dòng)上首次宣布的一種面向移動(dòng)應用的超低功耗FinFET技術(shù)。英特爾22FFL可帶來(lái)一流的CPU性能，實(shí)現超過(guò)2GHz的主頻以及漏電降低100倍以上的超低功耗。此外，22FFL晶圓在本次活動(dòng)上全球首次公開(kāi)亮相。

　　英特爾公司執行副總裁兼制造、運營(yíng)與銷(xiāo)售集團總裁Stacy Smith

　　揭曉10納米FPGA產(chǎn)品計劃

　　在本次活動(dòng)上，英特爾公布了采用英特爾10納米制程工藝和晶圓代工平臺的下一代FPGA計劃。研發(fā)代號為“Falcon Mesa”的FPGA產(chǎn)品將帶來(lái)全新水平的性能，以支持數據中心、企業(yè)級和網(wǎng)絡(luò )環(huán)境中日益增長(cháng)的帶寬需求。

　　英特爾和Arm在10納米制程合作方面取得重大進(jìn)展

　　在2016年8月于舊金山舉行的英特爾信息技術(shù)峰會(huì )(IDF)上，英特爾晶圓代工宣布與Arm達成協(xié)議，雙方將加速基于英特爾10納米制程的Arm系統芯片開(kāi)發(fā)和應用。作為這一合作的結晶，今天的“英特爾精尖制造日”全球首次展示了Arm Cortex-A75 CPU內核的10納米測試芯片晶圓。這款芯片采用行業(yè)標準設計流程，可實(shí)現超過(guò)3GHz的性能。

　　發(fā)布業(yè)內首款面向數據中心的64層TLC 3D NAND固態(tài)盤(pán)

　　英特爾還宣布了業(yè)內首款面向數據中心的64層、三級單元(TLC)3D NAND固態(tài)盤(pán)產(chǎn)品已正式出貨。該產(chǎn)品自2017年8月初便開(kāi)始向部分頂級云服務(wù)提供商發(fā)貨，旨在幫助客戶(hù)大幅提升存儲效率。在存儲領(lǐng)域30年的專(zhuān)業(yè)積淀，使得英特爾可以推出優(yōu)化的3D NAND浮柵架構和制造工藝。英特爾的制程領(lǐng)先性，使其能夠快速把2017年6月推出的64層TLC固態(tài)盤(pán)產(chǎn)品組合，迅速從客戶(hù)端產(chǎn)品擴展到今天的數據中心固態(tài)盤(pán)產(chǎn)品。到2017年年底，該產(chǎn)品將在更大范圍內上市。