存儲市場(chǎng)缺貨嚴重 美光是如何謀劃的？

　美光估算DRAM供應

　　DRAM行業(yè)供應情況

　　存儲行業(yè)的玩家無(wú)法控制DRAM需求，因為它受到終端消費者需求的控制，這是難以預測的。但他們可以控制供應。

　　多年來(lái)，DRAM市場(chǎng)從30家供應商整合到3家：三星、SK Hynix和Micron。只有幾個(gè)行業(yè)參與者，可以保持供應紀律，因為他們分享了類(lèi)似的需求環(huán)境。

　　美光預計到2020年，DRAM行業(yè)的復合年增長(cháng)率為15.0%-20.0%。

　　有紀律的資本支出并不能阻止下滑

　　供應商沒(méi)有計劃在2017年增加新的DRAM生產(chǎn)能力。任何容量擴張將來(lái)自技術(shù)轉型。這將導致2017年DRAM供應邊際增長(cháng)，反過(guò)來(lái)又將抬升DRAM價(jià)格。

　　但是，這不同于3年前的情況。在摩根大通技術(shù)媒體與電訊會(huì )議上，美光首席財務(wù)官Ernest Maddock以2014年上市周期為例。

　　2014年，SK海力士的DRAM設備的火災使得市場(chǎng)上出現了大量缺貨。第二名，Micron正在鞏固日本Elpida Memory的業(yè)務(wù)，這減慢了供應增長(cháng)。這就推動(dòng)了三星的供應負擔。

　　三星解釋說(shuō)，供需缺口有所不同，競爭對手無(wú)法滿(mǎn)足需求。這樣就帶來(lái)了新的網(wǎng)絡(luò )容量。SK海力士和美光在2015年中期解決了他們的產(chǎn)能問(wèn)題。

　　然而，增加的DRAM容量遇到PC業(yè)務(wù)的意外下滑，導致DRAM供大于求。雖然能力擴張計劃好，但卻不能防止供過(guò)于求的情況。

　競爭對手能否擴大DRAM產(chǎn)能?

　　在美銀美林2017全球技術(shù)大會(huì )上，馬多克解釋說(shuō)，諸如低借款成本和高DRAM價(jià)格等暫時(shí)性因素并不會(huì )影響供應商的資本支出。

　　他解釋說(shuō)，新的DRAM設備上線(xiàn)將需要數十億美元，至少需要兩年時(shí)間。一旦容量上線(xiàn)，就可以在未來(lái)10~15年內產(chǎn)生回報。因此，產(chǎn)能擴張的決定受到需求的影響，工廠(chǎng)的規模取決于需求的強度。

　　麥克多克表示，如果Micron認為PC需求每年增長(cháng)5.0%，智能手機需求將會(huì )加速，Micron可能會(huì )考慮擴大其DRAM產(chǎn)能。

　　事實(shí)上，美光對DRAM需求的增長(cháng)并不樂(lè )觀(guān)，因此不會(huì )投資于新的產(chǎn)能。它更愿意投資新技術(shù)，以促進(jìn)增長(cháng)。我們將在下一部分分析一下。

　　美光的DRAM資本支出

　　技術(shù)轉型推動(dòng)DRAM供應增長(cháng)

　　美光科技預計到2020年，DRAM行業(yè)的供應量平均年增長(cháng)率為15.0%-20.0%，主要增長(cháng)動(dòng)力源于技術(shù)轉型。美光公司的首席財務(wù)官Ernest Maddock預計供應將在此范圍的低端發(fā)展，因為每個(gè)高級節點(diǎn)產(chǎn)生的增量都較少。

　技術(shù)轉型如何限制供應

　　在納斯達克第36次投資者大會(huì )上，Maddock解釋說(shuō)，先進(jìn)技術(shù)不會(huì )產(chǎn)生更多的晶圓。

　　DRAM設備可以在20nm(納米)節點(diǎn)上處理100個(gè)晶片。當設施轉移到18納米節點(diǎn)時(shí)，晶粒尺寸縮小，每晶圓位數可能增加25.0%-30.0%。

　　隨著(zhù)模具尺寸的縮小，設備必須在模具上沉積更多層，并蝕刻細紋理的幾何形狀。這增加了在蝕刻過(guò)程中花費的時(shí)間。因此，相同的設備處理較少的晶圓，代替100個(gè)晶圓，先進(jìn)的節點(diǎn)可以蝕刻95個(gè)晶圓。然而，每晶圓的位數會(huì )增加。

　　每個(gè)節點(diǎn)收縮使得總體位數在增加，但由于更少的晶圓被蝕刻，所產(chǎn)生的增加位數正在下降。一家公司可以通過(guò)添加更多設備來(lái)處理100個(gè)晶圓。

　　Micron的DRAM資本支出在哪里?

　　隨著(zhù)存儲市場(chǎng)的成熟，資本密集度降低，這意味著(zhù)與回報相比，花費的資本少。雖然美光在DRAM收入中所占的收益超過(guò)了60.0%，但其資本支出占DRAM的40.0%-50.0%。

　　在未來(lái)的兩三年內，美光計劃花費20億美元將其日本(EWJ)工廠(chǎng)轉換為DRAM中心。它計劃開(kāi)發(fā)用于智能手機、數據中心和自駕車(chē)的下一代存儲芯片。Nvidia和英特爾的主要客戶(hù)將其產(chǎn)品集中在A(yíng)I 上，將專(zhuān)注于開(kāi)發(fā)適用于A(yíng)I應用的高端DRAM產(chǎn)品。

　　另一方面，三星在韓國的一個(gè)新的DRAM工廠(chǎng)投入了87億美元。

　　接下來(lái)，我們將看看NAND市場(chǎng)。

　　美光的NAND需求展望

　　DRAM的需求預計將以年均20.0%的速度增長(cháng)，到2020年將以15.0%~20.0%的速度增長(cháng)。另一方面，NAND市場(chǎng)可能會(huì )比DRAM增長(cháng)快速。

　　NAND市場(chǎng)占存儲市場(chǎng)的30.0%，即480億美元。在NAND市場(chǎng)中，320億美元用于非存儲產(chǎn)品，而160億美元用于SSD(固態(tài)硬盤(pán))。NAND市場(chǎng)主要由美光、SK海力士和西數(WDC)-Toshiba合資公司把持。

　　目前，所有NAND玩兒家正在進(jìn)行從平面到3D NAND的技術(shù)轉換。三星和美光在3D NAND市場(chǎng)上處于領(lǐng)先地位，其他的也在追趕。他們大多數可以在2017年下半年投入量產(chǎn)。TrendForce預計3D NAND將在第三季度占總體行業(yè)NAND產(chǎn)量的50.0%以上。

　　由于需求不斷增加，向3D NAND的過(guò)渡形成了NAND供應不足的局面。

　　NAND需求前景

　　美光預計，2016~2020年，NAND的年復合增長(cháng)率為45.0%。這主要得益于SSD和移動(dòng)領(lǐng)域的強勁需求。

　　SSD

　　美光預計，2016~2020年SSD需求將增長(cháng)超過(guò)50.0%。由于SSD更快、更耐用、功耗更高、存儲容量更高，因此SSD是HDD(硬盤(pán)驅動(dòng)器)的直接競爭性替代品。雖然SSD在筆記本電腦和服務(wù)器中的采用率已經(jīng)上升，但仍然有很大的市場(chǎng)等待挖掘。

　　像SanDisk和Micron這樣的存儲制造商已經(jīng)在供應鏈中拓展產(chǎn)能，開(kāi)始制造SSD，而不是為SSD提供閃存。

　　移動(dòng)

　　另一個(gè)重要的需求驅動(dòng)是移動(dòng)NAND。正如我們在本系列的其他部分所看到的，每個(gè)智能手機的內存容量正在顯著(zhù)增加。即使是基本的移動(dòng)設備也有較高的內存。美光預計2016~2020年移動(dòng)NAND需求將增長(cháng)40.0%~50.0%。

　　由于美光在移動(dòng)NAND市場(chǎng)中占有的份額很小，因此供應環(huán)境緊張，導致其他移動(dòng)NAND制造商無(wú)法滿(mǎn)足市場(chǎng)需求，因此有充足的機會(huì )增加其市場(chǎng)份額。蘋(píng)果在2017年推出其下一款iPhone時(shí)，可能會(huì )占據整體NAND產(chǎn)能的主要部分。

　　接下來(lái)，我們來(lái)看看NAND供應環(huán)境。

　美光對NAND供應的看法

　　由于存儲和移動(dòng)市場(chǎng)的強勁增長(cháng)，美光科技預計3D NAND需求將大幅增長(cháng)。NAND市場(chǎng)在2017上半年的供貨量增長(cháng)放緩后，平面NAND容量下降，主要精力都在安裝3D NAND設備上。

　　這使得NAND市場(chǎng)供應緊張。然而，隨著(zhù)行業(yè)玩兒家將3D NAND產(chǎn)品上線(xiàn)，供應可能在2017年下半年有所改善。

　　NAND市場(chǎng)的資本支出

　　三星計劃在2017年7月在韓國新建工廠(chǎng)，開(kāi)始生產(chǎn)其64層NAND芯片。東芝和西部數據的合資企業(yè)計劃在2017年下半年開(kāi)始生產(chǎn)64層3D NAND芯片。在生產(chǎn)36層和48層3D NAND芯片后，SK海力士推出了其72層3D NAND產(chǎn)品，并計劃于2017年下半年開(kāi)始批量生產(chǎn)72層芯片。

　　美光已經(jīng)將超過(guò)50.0%的NAND產(chǎn)能轉換為3D NAND，并計劃在2017年第三季度將其增長(cháng)到75.0%。

　　新產(chǎn)能導致NAND供應過(guò)剩?

　　美光公司首席財務(wù)官Ernest Maddock并不期望在2017下半年推出新的3D NAND產(chǎn)品，從而在未來(lái)的12~18個(gè)月內創(chuàng )造供大于求的情況。由于蘋(píng)果對其下一款iPhone的需求強勁，而SSD供應商的需求也在不斷增加，他預計所有新產(chǎn)能將被吸收。

　　在美銀美林2017全球技術(shù)大會(huì )上，Maddock表示，3D NAND技術(shù)需要高額的資本支出，因為技術(shù)是新的。隨著(zhù)技術(shù)的成熟，其資本密集度將逐漸減弱。

　　下面，我們將介紹美光的3D NAND戰略。