英飛凌開(kāi)始批量生產(chǎn)首款全碳化硅模塊，在PCIM上推出CoolSiC?系列產(chǎn)品的其他型號

　　效率更高、功率密度更大、尺寸更小且系統成本更低：這是基于碳化硅(SiC)的晶體管的主要優(yōu)勢。英飛凌科技股份公司開(kāi)始批量生產(chǎn)EASY 1B——英飛凌在2016年P(guān)CIM上推出的首款全碳化硅模塊。在紐倫堡2017年P(guān)CIM展會(huì )上，英飛凌展出了1200 V CoolSiC? MOSFET產(chǎn)品系列的其他模塊平臺和拓撲。如今，英飛凌能夠更好地發(fā)揮碳化硅技術(shù)的潛力。

　　英飛凌工業(yè)功率控制事業(yè)部總裁Peter Wawer博士指出：“碳化硅已達到轉折點(diǎn)，考慮到成本效益，它已可用于不同應用。不過(guò)，為了讓這一新的半導體技術(shù)成為可以依靠的革命性技術(shù)，需要英飛凌這樣的合作伙伴。針對應用量身定制產(chǎn)品、我們的生產(chǎn)能力、對技術(shù)組合和系統的全面了解：這四大優(yōu)勢使我們成為功率半導體市場(chǎng)的領(lǐng)導者。依托英飛凌碳化硅產(chǎn)品組合，我們希望并且能夠達成這一目標?！?/p>

　　詳情請見(jiàn)附件新聞稿及相關(guān)圖片，另附圖片說(shuō)明如下：

　　Easy1B說(shuō)明：采用Six-Pack拓撲的Easy1B的特點(diǎn)是成熟的英飛凌模塊配置，導通電阻(RDS(ON))僅45 mΩ。集成的體二極管確保低損耗續流功能。它適用于變頻器、太陽(yáng)能或焊接技術(shù)領(lǐng)域的應用。

　　Easy2B說(shuō)明：這個(gè)較大的Easy2B采用半橋拓撲，性能增強，每個(gè)開(kāi)關(guān)的RDS(ON)為8 mΩ。低電感模塊概念是功率超過(guò)50 kW和快速開(kāi)關(guān)應用的理想選擇，其中包括太陽(yáng)能逆變器、快速充電系統或不間斷電源解決方案。

　　62mm說(shuō)明：采用半橋拓撲的62 mm模塊具有更大功率，每個(gè)開(kāi)關(guān)功能的RDS(ON)為6 mΩ。該模塊平臺為中等功率范圍系統實(shí)現低電感連接創(chuàng )造了條件。這一特性適合諸多應用，包括醫療設備或鐵路設備的輔助電源等。