英特爾三星“搶飯碗” 晶圓代工四強近況如何？

　　在英特爾宣布進(jìn)入ARM芯片代工市場(chǎng)，并為展訊代工了14nm八核X86架構的64位LTE芯片平臺SC9861G-IA后，另一IDM模式巨頭三星于日前宣布將成立一個(gè)獨立的代工或合同芯片制造業(yè)務(wù)部門(mén)，強化代工業(yè)務(wù)。

　　臺積電

　　在晶圓代工領(lǐng)域，臺積電是當之無(wú)愧的老大，也是英特爾和三星在代工市場(chǎng)上最強的對手。除了10nm制程工藝用于今年下半年將發(fā)布的iPhone8的A11芯片外，早前曾有報道表示，臺積電已經(jīng)在測試尖端7nm芯片產(chǎn)品，且會(huì )在2018年量產(chǎn)，并將在一年后再投產(chǎn)EUV極紫外光刻技術(shù)加持的新版7nm。而臺積電5nm將會(huì )在2019年試產(chǎn)，主打移動(dòng)設備和高性能計算。

　　在5月25日的臺積電技術(shù)論壇上，臺積電首次揭露了研發(fā)多年的eMRAM(嵌入式磁阻式隨機存取內存)和eRRAM(嵌入式電阻式內存)分別將在明后年進(jìn)行風(fēng)險性試產(chǎn)，主要采用22nm制程。

　　格羅方德

　　在三星和臺積電就10nm制程工藝“大打出手”的時(shí)候，格羅方德卻決定跳過(guò)10nm直取7nm制程。雖然沒(méi)有對10nm“出手”，但格羅方德在去年推出了12nmFD-SOI工藝，對比16nmFinFET工藝，12nm制程能夠將功耗降低50%，性能提升15%，掩膜成本較10nm降低40%。不過(guò)根據早前格羅方德透露的信息，全新的12nmFD-SOI工藝在2019年才能投入量產(chǎn)。

　　雖然制程工藝進(jìn)步的腳步比不過(guò)臺積電，但近日一則有關(guān)全球首款5nm芯片的消息中，卻出現了格羅方德的身影。IBM日前宣布，與三星、格羅方德組成的聯(lián)盟已經(jīng)成功開(kāi)發(fā)出業(yè)界第一個(gè)全新的硅納米片晶體管，為實(shí)現5nm工藝鋪平了道路。

　　另外格羅方德攜手成都市成立的合資公司格芯已經(jīng)展開(kāi)建設工作，預計將于2018年年初完工。完工后，該晶圓廠(chǎng)將率先投入主流工藝的生產(chǎn)，進(jìn)而專(zhuān)注于22FDX的制造，預計將于2019年開(kāi)始實(shí)現量產(chǎn)。

　　聯(lián)電

　　聯(lián)電雖然貴為臺灣晶圓代工雙雄，但在晶圓代工市場(chǎng)上遠不如臺積電精彩。今年年初時(shí)，公司宣布了其自主研發(fā)的14nmFinFET工藝，已成功進(jìn)入客戶(hù)芯片量產(chǎn)階段，且良率已達先進(jìn)制程的業(yè)界競爭水準。在成功量產(chǎn)14nm后，聯(lián)電也啟動(dòng)了廈門(mén)子公司聯(lián)芯的28nm制程量產(chǎn)計劃，劍指大陸快速成長(cháng)的中低端手機芯片市場(chǎng)。

　　中芯國際

　　中芯國際作為大陸晶圓代工一哥，已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)28nmPolySiON工藝，而對于更高級并將扮演更重要角色的28nmHKMG，中芯國際曾透漏，對于HKMG平臺，今年將積極導入設備與試產(chǎn)，最快第三季備妥產(chǎn)能，預期今年“會(huì )持續成長(cháng)，但貢獻度有限”。

　　新任CEO趙海軍也表示過(guò)，中芯將持續投入28nm新平臺與14nm研發(fā)的推進(jìn)，預計2019年14nm投入試產(chǎn)。

　　另外，中芯國際也開(kāi)始啟動(dòng)了7nm制程工藝的研發(fā)，并與北方華創(chuàng )、中微建立了長(cháng)期合作關(guān)系。