X30未能憑臺積電10nm“飛升” 聯(lián)發(fā)科或將出走格羅方德

　　聯(lián)發(fā)科在去年將其高端芯片helio X30和中端芯片helio P30/P35押寶臺積電的10nm工藝，但是卻因為后者的10nm工藝量產(chǎn)延遲和良率問(wèn)題導致X30錯失上市時(shí)機，P30傳聞也將被放棄，受此影響聯(lián)發(fā)科有意將部分訂單交給GF，避免完全受制于臺積電重蹈覆轍。

　　多家芯片企業(yè)臺積電的先進(jìn)工藝量產(chǎn)影響

　　高通為臺積電的長(cháng)期大客戶(hù)，不過(guò)2014年臺積電從三星手里搶到了蘋(píng)果的A8處理器訂單，臺積電采取了優(yōu)先照顧蘋(píng)果的策略，將其最先進(jìn)的20nm工藝優(yōu)先用于生產(chǎn)蘋(píng)果的A8處理器，這導致采用該工藝的高通的驍龍810量產(chǎn)時(shí)間過(guò)晚優(yōu)化時(shí)間不足，再加上當時(shí)該芯片所采用的ARM高性能公版核心A57功耗過(guò)高，驍龍810出現發(fā)熱問(wèn)題導致高通在高端市場(chǎng)遭遇重大挫折，高端芯片出貨量同比下滑六成。

　　高通由此出走，將其高端芯片轉交三星半導體代工，當然這也有它希望籍此獲得三星手機采用它更多的芯片。2015年底高通采用三星的14nm FinFET工藝生產(chǎn)的驍龍820性能和功耗優(yōu)良，大獲市場(chǎng)歡迎，去年其中端芯片驍龍625也轉用三星的14nm FinFET，近期其中高端芯片驍龍660同樣轉用三星的14nm FinFET，至此可以說(shuō)高通已將芯片訂單大量轉單三星離開(kāi)臺積電。

　　華為海思受臺積電的16nm FinFET工藝影響。在高通離開(kāi)后，臺積電轉而與華為海思合作開(kāi)發(fā)16nm工藝，2014年臺積電量產(chǎn)16nm工藝不過(guò)由于能耗不佳只是用于生產(chǎn)華為海思的網(wǎng)通處理器芯片，沒(méi)有手機芯片企業(yè)采用該工藝;雙方繼續合作于2015年三季度量產(chǎn)16nmFinFET，不過(guò)臺積電同樣選擇優(yōu)先照顧蘋(píng)果的策略用該工藝生產(chǎn)A9處理器導致華為海思的麒麟950量產(chǎn)時(shí)間延遲。受此影響去年華為海思選擇采用16nm FinFET工藝生產(chǎn)其新一代高端芯片麒麟960，而不是等待臺積電的最先進(jìn)工藝10nm工藝。

　　聯(lián)發(fā)科在連續沖擊高端市場(chǎng)而不可得的情況下，去年其計劃在中端helio P35和高端芯片helio X30上全面采用臺積電的最先進(jìn)工藝10nm工藝，不過(guò)臺積電的10nm工藝直到今年初才量產(chǎn)隨后又遇上了良率問(wèn)題，這導致高端芯片helio X30上市后被大多數國產(chǎn)手機企業(yè)放棄，據說(shuō)三季度臺積電用10nm工藝全力生產(chǎn)蘋(píng)果的A11處理器而不會(huì )再有空余產(chǎn)能供給其他芯片企業(yè)，這也就導致聯(lián)發(fā)科放棄helio P35，轉而采用臺積電產(chǎn)能充足的16nm FinFET的改良版12nm FinFET生產(chǎn)新款中端芯片helio P30。

　　聯(lián)發(fā)科將選擇同時(shí)由GF和臺積電代工

　　受helio X30上市不受?chē)a(chǎn)手機品牌歡迎以及目前除X30外沒(méi)有芯片可以支持中國移動(dòng)要求支持的LTE Cat7技術(shù)所影響，聯(lián)發(fā)科今年一季度的芯片出貨量大減，季度出貨量跌穿1億片，營(yíng)收環(huán)比大跌17%，據IC Insights發(fā)布的最新數據顯示今年一季度德國芯片企業(yè)英飛凌成功超越聯(lián)發(fā)科擠入全球半導體企業(yè)第十名，受此打擊后它開(kāi)始考慮轉變自己的策略，以擺脫當下在代工方面完全依賴(lài)臺積電的局面。

　　臺媒指聯(lián)發(fā)科內部開(kāi)始評估采用極受關(guān)注的格羅方德(簡(jiǎn)稱(chēng)GF)22nm FD-SOI制程，該工藝有低功耗優(yōu)勢，相較臺積電和Intel全力開(kāi)發(fā)的FinFET工藝又有成本優(yōu)勢，在低端手機芯片、物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域有廣闊的空間。

　　格羅方德在大陸建設的半導體制造工廠(chǎng)就引入了22nm FD-SOI制程，希望在這個(gè)市場(chǎng)搶奪正高度受關(guān)注的物聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)，與臺積電南京廠(chǎng)的16nm FinFET、中芯國際和聯(lián)電廈門(mén)工廠(chǎng)的28nm實(shí)現差異化競爭。

　　聯(lián)發(fā)科采用格羅方德的22nm FD-SOI，估計是用于生產(chǎn)其低端的手機芯片，憑借低功耗和低成本優(yōu)勢應對大陸芯片企業(yè)展訊的競爭，同時(shí)它也有意用該工藝生產(chǎn)物聯(lián)網(wǎng)芯片。聯(lián)發(fā)科的物聯(lián)網(wǎng)芯片去年以來(lái)就在大陸火熱的共享單車(chē)市場(chǎng)奪得大量訂單，近期其有意并購無(wú)線(xiàn)通信芯片廠(chǎng)絡(luò )達也是意在物聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)。

　　聯(lián)發(fā)科貴為全球第二大手機芯片企業(yè)，在失去高通更多的芯片訂單后如果聯(lián)發(fā)科也將部分訂單轉往格羅方德無(wú)疑將讓臺積電更為緊張，將迫使臺積電思考當前它優(yōu)先照顧蘋(píng)果這種策略的影響。

　　從這個(gè)方面來(lái)說(shuō)，聯(lián)發(fā)科未來(lái)將部分訂單轉往格羅方德是必然的，而眼下正是一個(gè)適當的時(shí)機。聯(lián)發(fā)科的做法也值得大陸芯片企業(yè)思考，它們顯然已采取行動(dòng)，華為海思已與中芯國際合作開(kāi)發(fā)14nm FinFET工藝，展訊則選擇與Intel合作采用其相當于臺積電的10nm工藝的14nm FinFET工藝生產(chǎn)芯片。