后10nm時(shí)代已到來(lái) 7nm制程還會(huì )遠嗎？

　　今年對于10nm來(lái)說(shuō)是至關(guān)重要的一年，不過(guò)英特爾在年初發(fā)布的新處理器依舊采用14nm工藝，英特爾似乎也和臺積電、三星一樣陷入了良率不佳的問(wèn)題。在不久前，臺積電就被曝出10nm工藝良率太低的問(wèn)題，雖然臺積電隨后出面否認，不過(guò)要真正將10nm推薦似乎還有不少的問(wèn)題，不過(guò)可以肯定的是，今年10nm量產(chǎn)不會(huì )是太大的問(wèn)題。

　　三星Exynos處理器

　　近日，在上海舉辦的中國國際半導體技術(shù)大會(huì )(CSTIC)上，三星電子就展示了自己的半導體工藝路線(xiàn)圖，并提到了7nm、5nm工藝，三星在會(huì )上明確表示他們分別在2018年、2020年投入量產(chǎn)。三星和臺積電的10nm工藝均是主打高效能、低功耗的移動(dòng)芯片產(chǎn)品，并不能勝任桌面級處理器的需求，不過(guò)三星的7nm工藝則會(huì )面向高性能芯片市場(chǎng)，包括CPU、GPU、AI、服務(wù)器、ADAS(先進(jìn)駕駛輔助系統)均可以使用。

　　集成電路板

　　在去年的14nm工藝上，AMD處理器代工廠(chǎng)格羅方德正是向三星購買(mǎi)了14nm FinFET工藝，并在今年年初發(fā)布的Ryzen處理器上大獲成功。三星7nm技術(shù)一旦成熟，AMD也刻意非?？斓膶⒅瞥坦に囖D進(jìn)到7nm，因為格羅方德已經(jīng)放棄了10nm工藝，直奔7nm而去。

　　半導體工藝結構

　　三星表示，隨著(zhù)半導體工藝走向后10nm時(shí)代，半導體制造商所面臨的制程挑戰會(huì )越來(lái)越嚴峻，尤其是如何保證足夠高的良品率。為此，三星特別提出了環(huán)繞柵極場(chǎng)效應晶體管(GAA FET)技術(shù)，該技術(shù)將用在三星7nm、5nm工藝上。另外，三星在今年將會(huì )投資8萬(wàn)億韓元，用于加快10nm、7nm制程工藝的制造與研發(fā)。其中三星已經(jīng)向ASML訂購了8臺EUV極紫外光刻機，極紫外線(xiàn)光刻機的技術(shù)將要取得突破，一旦該技術(shù)成熟，三星就會(huì )立即使用。

　　英特爾

　　現在要討論7nm的量產(chǎn)其實(shí)為時(shí)過(guò)早，因為預計在今年第一度量產(chǎn)的三星和臺積電紛紛在良率上出現了問(wèn)題，雖然官方已經(jīng)出面辟謠，不過(guò)行業(yè)供應鏈上的消息也似乎在指向良率并不理想，亟待改善。相比三星，臺積電的壓力就要小很多，他們最大的客戶(hù)蘋(píng)果會(huì )在今年9月才發(fā)布新品，而高通驍龍835預計要再第二季度大量出貨。至于英特爾，這么多年無(wú)欲無(wú)求的他們自然不會(huì )太關(guān)心制程更新的問(wèn)題，畢竟無(wú)敵也是一種寂寞。