華力微12寸新廠(chǎng)年底啟動(dòng) 與臺積電、聯(lián)電拼戰大陸版圖
大陸12寸晶圓廠(chǎng)華力微電子受惠于聯(lián)發(fā)科、華邦、北京兆易創(chuàng )新(GigaDevice)等大客戶(hù)訂單,包括通訊、NOR Flash晶片產(chǎn)能供不應求,不僅旗下12寸廠(chǎng)生產(chǎn)線(xiàn)滿(mǎn)載,規劃多時(shí)的第二座12寸廠(chǎng)可望于年底前宣布啟動(dòng)興建,預計新廠(chǎng)將直接切入28奈米制程,2018年正式投產(chǎn),屆時(shí)將與臺積電南京廠(chǎng)、聯(lián)電廈門(mén)廠(chǎng)等競逐大陸龐大的28奈米制程市場(chǎng)商機。
本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/201609/310548.htm大陸半導體產(chǎn)業(yè)布局規畫(huà)陸續就定位,中芯國際負責邏輯晶片制造,武漢新芯挑起NAND Flash自主研發(fā)生產(chǎn)重任,華力微是上海市政府欽點(diǎn)的12寸廠(chǎng)生產(chǎn)基地,華虹宏力8寸廠(chǎng)則是專(zhuān)司特殊型晶片角色,至于IC設計領(lǐng)域有海思、展訊負責處理器產(chǎn)品,華為、華瀾、憶恒創(chuàng )源等負責NAND Flash/SSD晶片設計。
由于全球半導體大廠(chǎng)紛看好大陸內需市場(chǎng),陸續前往大陸設立12寸廠(chǎng),包括臺積電南京廠(chǎng)、聯(lián)電廈門(mén)廠(chǎng)、英特爾(Intel)大連廠(chǎng)、三星電子(Samsung Electronics)西安廠(chǎng)、力晶合肥廠(chǎng)等,分別布局高階邏輯、NAND Flash、DRAM及LCD驅動(dòng)IC等產(chǎn)品領(lǐng)域。 在大陸政府提升晶片自制率政策下,近年來(lái)大陸主要晶圓廠(chǎng)一直處于產(chǎn)能滿(mǎn)載狀況,并陸續發(fā)動(dòng)擴產(chǎn)計劃,繼中芯國際之后,華力微亦將啟動(dòng)12寸新廠(chǎng)興建計劃。目前華力微12寸廠(chǎng)月產(chǎn)能3.5萬(wàn)片,與大客戶(hù)聯(lián)發(fā)科策略聯(lián)盟后,包括55、40奈米產(chǎn)能一直滿(mǎn)載,雙方更共同開(kāi)發(fā)28奈米技術(shù),將成為中芯之外,第二家量產(chǎn)28奈米制程的大陸本土半導體廠(chǎng)。
華力微預計2016年底前宣布啟動(dòng)興建第二座12寸廠(chǎng),有別于首座12寸廠(chǎng)定位在55、40奈米和28奈米制程,新廠(chǎng)將從28奈米制程切入,規劃月產(chǎn)能4萬(wàn)片起跳,預計2018年投產(chǎn),坐落地點(diǎn)在浦東康橋附近。
華力微將采取邏輯、記憶體雙代工并行策略,且已掌握關(guān)鍵客戶(hù),在邏輯產(chǎn)品方面有聯(lián)發(fā)科基頻晶片(baseband)、Wi-Fi晶片、低階處理器(AP)等訂單,在記憶體產(chǎn)品則已切入華邦和Gigadevice的NOR Flash產(chǎn)品供應鏈,采用65奈米制程生產(chǎn)。
另外,華力微亦看好物聯(lián)網(wǎng)(IoT)應用商機,鎖定40及55奈米制程應用,以及未來(lái)將成為物聯(lián)網(wǎng)需求主流的28奈米超低功耗制程;華力微同時(shí)布局車(chē)用電子,看好先進(jìn)駕駛輔助系統(ADAS)應用,目前已進(jìn)入汽車(chē)聯(lián)盟體系的安全認證程序。
2018年除了華力微第二座新廠(chǎng)開(kāi)始投產(chǎn)外,臺積電南京廠(chǎng)亦將從16奈米制程切入量產(chǎn),且在28奈米制程也不會(huì )缺席;至于聯(lián)電廈門(mén)廠(chǎng)2016年底將以55/40奈米制程投產(chǎn),業(yè)界推測很快會(huì )進(jìn)入28奈米制程。
GobalFoundries雖然向三星電子(Samsung Electronics)授權14奈米技術(shù),但近年來(lái)亦發(fā)展FD-SOI(Fully Depleted Silicon-on-Insular)技術(shù),在大陸推出22奈米FD-SOI技術(shù)后,再度推進(jìn)至12奈米FD-SOI技術(shù),加上三星亦擁有28奈米FD-SOI技術(shù),使得FD-SOI技術(shù)在大陸市場(chǎng)逐漸熱絡(luò )起來(lái)。
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