三星高管偷賣(mài)的14/10nm工藝 到底是什么機密？

　　據外媒報道，韓國警方近日逮捕了三星System LSI部門(mén)的一位李姓高管，原因是他將該公司的半導體技術(shù)機密(三星14nm、10nm工藝)賣(mài)給了某中國公司，而對方是三星電子的直接競爭對手(具體是誰(shuí)未公開(kāi))。

　　傳言稱(chēng)，14nm工藝非常卓越，GF、AMD等著(zhù)名廠(chǎng)商對其非常依賴(lài)。掌握了這項工藝，甚至更先進(jìn)的10nm工藝，也就掌握了未來(lái)芯片行業(yè)的話(huà)語(yǔ)權。

　　14/10nm究竟是什么?

　　這還得從處理器的基本組成說(shuō)起。一般來(lái)說(shuō)，一顆微處理器是由不同材料制成的許多“層”堆疊起來(lái)的電路，里面包含了晶體管、電阻器、以及電容器等微小元件。這些微小元件用肉眼很難看清楚，因為它們的尺寸非常之小，并且數量之多，密集的讓人難以想象。

　　這些小元件整齊的排列在一塊“板子”上，它們相互之間都有縫隙，這個(gè)縫隙實(shí)質(zhì)就是元件與元件之間的距離，這個(gè)距離一般用毫微米進(jìn)行衡量。后來(lái)納米概念誕生后，就一直沿用“納米”(nanometers)來(lái)描述這個(gè)距離。

　　也就是說(shuō)，14/10nm其實(shí)就是芯片上元件間的間距，這個(gè)間距越小，排列在芯片上的元件就越多。這意味著(zhù)性能更加強大，能效表現更為優(yōu)異。

　　這也是英特爾、三星等一直追求14nm、10nm甚至是7nm的原因。

　　14nm的誕生

　　在2014年，當大部分廠(chǎng)商還在研究22nm的FinFET工藝時(shí)，英特爾已經(jīng)推進(jìn)到了14nm工藝。在芯片行業(yè)的推進(jìn)上，英特爾可以說(shuō)是獨步天下。

　　從2007年的45nm工藝，到2009年的32nm工藝，到2011年的22nm工藝，再到2014年的14nm工藝，無(wú)與倫比的先進(jìn)制造工藝，讓全球廠(chǎng)商為之眼紅。

　　然而，看似風(fēng)光的英特爾，在推進(jìn)過(guò)程中也遇到不少難題。據英特爾稱(chēng)，他們本該2013年底時(shí)就會(huì )推出14nm的測試芯片，并于2014年開(kāi)始量產(chǎn)，但實(shí)際比原推進(jìn)計劃晚了幾個(gè)季度。由于14nm工藝良品率初期低得要命，直到2014年第二季度末才達到量產(chǎn)標準。

　　三星的14nm工藝

　　在2014年底，也就是英特爾的14nm工藝推出沒(méi)幾個(gè)月，三星就直接宣布進(jìn)入14nm工藝。

　　這前所未有的舉動(dòng)在業(yè)界瞬間轟動(dòng)了起來(lái)，甚至連英特爾都坐不住了。要知道，在這之前，英特爾的制造工藝在業(yè)內是處于絕對領(lǐng)先的地位的。

　　三星此舉讓同為競爭對手的臺積電也自愧不如，但隨后又爆出猛料，稱(chēng)該公司前員工加入三星后，將TSMC自家的28nm工藝泄露給了三星，這對于三星14nm工藝進(jìn)度起了至關(guān)重要的作用。

　　這樣說(shuō)也無(wú)可厚非，畢竟三星可是跳過(guò)了20nm，直接進(jìn)入了14nm工藝，并且據臺積電稱(chēng)，三星的14nm工藝帶有臺積電的技術(shù)特性。

　　看來(lái)，三星的14nm工藝并不純正。