傳三星下一代Exynos 8895處理器采用10nm工藝

　　根據國內消息來(lái)源表示，三星電子正在測試其下一代手機處理器 Exynos 8995，采用10納米FinFET工藝，最高速度可達到4GHz，其功耗和傳聞當中的高通驍龍830相同，據稱(chēng)高通驍龍830處理器最高工作頻率只有3.6GHz。換句話(huà)說(shuō)，三星接下來(lái)的Exynos芯片或提供了極大的電源效率。

　　預計三星明年Galaxy S8智能手機有可能是第一個(gè)采用Exynos 8995處理器的產(chǎn)品。不過(guò)，目前來(lái)看，遷移到10nm制造工藝，仍然非常棘手。英特爾本來(lái)準備今年作出這樣的轉變，然而計劃已經(jīng)延期，并推出了權宜產(chǎn)品，顯示10nm工藝比預期更困難。同樣的事情有可能在移動(dòng)芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)生。所以10nm處理器絕對不可能成為明年的主打產(chǎn)品。

　　其次，行業(yè)才剛剛出貨和使用14nm 芯片，高通驍龍820和821處理器是首批采用這一工藝的產(chǎn)品，在理論上還有改進(jìn)的余地，所以不大可能迅速推出采用下一代制造工藝的產(chǎn)品。