張忠謀：今年與未來(lái)成長(cháng)性都將優(yōu)于半導體產(chǎn)業(yè)

　　臺積電(2330-TW)股東會(huì )年報今(18)日出爐，董事長(cháng)張忠謀在致股東的話(huà)當中指出，去年全球半導體業(yè)有諸多挑戰，但臺積電仍締造營(yíng)收、獲利新高紀錄，并取得重要突破，是因臺積電在技術(shù)與制造上獲得新進(jìn)展，憑藉技術(shù)領(lǐng)先適時(shí)提供客戶(hù)產(chǎn)能，使得臺積電能在去年表現優(yōu)于同業(yè)，預期今年全球經(jīng)濟復蘇將為半導體業(yè)帶來(lái)成長(cháng)動(dòng)能，而臺積電將持續全心專(zhuān)注在半導體制造服務(wù)的商業(yè)模式，今年與未來(lái)成長(cháng)性都將領(lǐng)先半導體產(chǎn)業(yè)。

　　張忠謀指出，去年是臺積電創(chuàng )造佳績(jì)的一年，面對半導體業(yè)挑戰，臺積電仍締造營(yíng)收、獲利的新紀錄，并取得技術(shù)突破，尤其是去年全球經(jīng)濟疲弱、美元走強加上全球金融市場(chǎng)波動(dòng)，削弱半導體整體需求，也延長(cháng)庫存調整周期。

　　然而，張忠謀強調，臺積電去年受惠技術(shù)與制造上的進(jìn)展，以及技術(shù)上領(lǐng)先，并在適切的時(shí)間提供客戶(hù)適當產(chǎn)能，使得臺積電去年整體表現，優(yōu)于其他同業(yè)。

　　張忠謀指出，臺積電去年不僅20奈米制程業(yè)務(wù)比2012年成長(cháng)1倍，也推出16奈米FinFET制程，以創(chuàng )技術(shù)速度量產(chǎn)，去年16/20奈米制程營(yíng)收比重達20%，比2012年的9%大幅增加。

　　另外，臺積電去年10、7奈米也持續精進(jìn)，張忠謀表示，良率學(xué)習過(guò)程持續改善，加上半導體效率提升，今年第1季臺積電已開(kāi)始接受10nm的產(chǎn)品設計定案。

　　臺積電去年營(yíng)收為8435億元，年增10.6%，稅后凈利微3065.7億元，年增16%，每股稅后盈余為11.82元，稅后凈利與每股盈余，皆比2014年同期成長(cháng)16%。

　　張忠謀指出，臺積電近年首創(chuàng )專(zhuān)業(yè)IC制造代工模式，預期今年全球經(jīng)濟復蘇，將為今年營(yíng)運帶來(lái)成長(cháng)動(dòng)能，更重要的是臺積電對專(zhuān)業(yè)晶圓代工制造服務(wù)投入，將使得今年與未來(lái)的營(yíng)運成長(cháng)，大幅領(lǐng)先半導體業(yè)界，一如過(guò)去臺積電所締造的優(yōu)異表現。