新芯/中芯/同方國芯等NAND Flash晶圓制造商現狀分析

　　(四)、外資晶圓制造企業(yè)在中國：Samsung與Intel

　　1. Samsung西安Flash工廠(chǎng)產(chǎn)能拉高至每月產(chǎn)出10萬(wàn)片

　　目前以Samsung在中國的投資最為領(lǐng)先，Samsung至2015年底投入西安廠(chǎng)的投資總金額已超過(guò)50億美元，產(chǎn)能建置來(lái)到每月8萬(wàn)片，Samsung于西安佈建最先進(jìn)的3D NAND Flash制程，預計2016年底將產(chǎn)能進(jìn)一步拉升至每月10萬(wàn)片。

　　2. Intel大連廠(chǎng)轉為3D NAND Flash廠(chǎng)

　　Intel則宣布投資55億美元將原先65nm生產(chǎn)線(xiàn)的大連廠(chǎng)，改建為月產(chǎn)能3萬(wàn)片的3D NAND Flash廠(chǎng)，預計2016年先投入15億美元，到2016第四季開(kāi)始投片生產(chǎn)，月產(chǎn)能估計達1萬(wàn)片。

　　Samsung和Intel在中國NAND Flash的產(chǎn)能建置，預估至2016年第四季將達到每月11萬(wàn)片，約佔全球NAND Flash晶圓出貨量7.6%，若將3D NAND有單片較高的bit產(chǎn)出納入考慮，加上中國廠(chǎng)商的進(jìn)展，則Made in China的NAND位元數在2017年全球佔比有機會(huì )達到10%。

　　(五)、TRI觀(guān)點(diǎn)

　　武漢新芯在2014年與Spansion合作，成功將NAND技術(shù)推向32nm，至2015年5月武漢新芯宣布其Spansion合作的3D NAND項目研發(fā)取得突破性進(jìn)展，是中國在NAND Flash產(chǎn)業(yè)進(jìn)展最快的廠(chǎng)商。

　　中芯在2014年9月宣布38nm NAND Flash記憶體工藝已就緒，雖不像武漢新芯在NAND Flash的成果和專(zhuān)注，此技術(shù)仍為后續開(kāi)發(fā)更先進(jìn)的2x/1x nm和3D NAND Flash記憶體的研發(fā)和量產(chǎn)奠定基礎。

　　紫光集團在Flash相關(guān)競爭中，資金是主要優(yōu)勢，但在沒(méi)有既有營(yíng)運的支持下，如何突破生產(chǎn)技術(shù)的取得和授權，會(huì )是整個(gè)投資最關(guān)鍵環(huán)節。

　　國際投資方面，Samsung和Intel在中國NAND Flash的產(chǎn)能建置，預估至2016年第四季將達每月11萬(wàn)片，約占全球NAND Flash晶圓出貨量7.6%。

　　NAND Flash產(chǎn)品特性、3D NAND需求、新興市場(chǎng)的成長(cháng)空間，以及國際半導體大廠(chǎng)在中國的投資，則為中國發(fā)展NAND Flash制造產(chǎn)業(yè)提供切入機會(huì )。