存儲“芯”發(fā)展 剖析3D NAND閃存市場(chǎng)現狀

　　Intel/美光：容量最高的3D NAND閃存

　　這幾家廠(chǎng)商中，Intel、美光的3D NAND閃存來(lái)的最晚，去年才算正式亮相，不過(guò)好菜不怕晚，雖然進(jìn)度上落后了點(diǎn)，但IMFT的3D NAND有很多獨特之處，首先是他們的3D NAND第一款采用FG浮柵極技術(shù)量產(chǎn)的，所以在成本及容量上更有優(yōu)勢，其MLC類(lèi)型閃存核心容量就有256Gb，而TLC閃存則可以做到384Gb，是目前TLC類(lèi)型3D NAND閃存中容量最大的。

　　美光、Intel的3D NAND容量密度是最高的

　　384Gb容量還不終點(diǎn)，今年的ISSCC大會(huì )上美光還公布了容量高達768Gb的3D NAND閃存論文，雖然短時(shí)間可能不會(huì )量產(chǎn)，但已經(jīng)給人帶來(lái)了希望。

　　Intel的殺手锏：3D XPoint閃存

　　IMFT在3D NAND閃存上進(jìn)展緩慢已經(jīng)引起了Intel的不滿(mǎn)，雖然雙方表面上還很和諧，但不論是16nm閃存還是3D閃存，Intel跟美光似乎都有分歧，最明顯的例子就是Intel都開(kāi)始采納友商的閃存供應了，最近發(fā)布的540s系列硬盤(pán)就用了SK Hynix的16nm TLC閃存，沒(méi)有用IMFT的。

　　Intel、美光不合的證據還有最明顯的例子——那就是Intel甩開(kāi)美光在中國大連投資55億升級晶圓廠(chǎng)，準備量產(chǎn)新一代閃存，很可能就是3D XPoint閃存，這可是Intel的殺手锏。

　　3D XPoint閃存是Intel掌控未來(lái)NAND市場(chǎng)的殺手锏

　　這個(gè)3D XPoint閃存我們之前也報道過(guò)很多了，根據Intel官方說(shuō)法，3D XPoint閃存各方面都超越了目前的內存及閃存，性能是普通顯存的1000倍，可靠性也是普通閃存的1000倍，容量密度是內存的10倍，而且是非易失性的，斷電也不會(huì )損失數據。

　　由于還沒(méi)有上市，而且Intel對3D XPoint閃存口風(fēng)很?chē)?，所以我們無(wú)法確定3D XPpoint閃存背后到底是什么，不過(guò)比較靠譜的說(shuō)法是基于PCM相變存儲技術(shù)，Intel本來(lái)就是做存儲技術(shù)起家的，雖然現在的主業(yè)是處理器，但存儲技術(shù)從來(lái)沒(méi)放松，在PCM相變技術(shù)上也研究了20多年了，現在率先取得突破也不是沒(méi)可能。

　　相比目前的3D NAND閃存，3D XPoint閃存有可能革掉NAND及DRAM內存的命，因為它同時(shí)具備這兩方面的優(yōu)勢，所以除了做各種規格的SSD硬盤(pán)之外，Intel還準備推出DIMM插槽的3D XPoint硬盤(pán)，現在還不能取代DDR內存，但未來(lái)一切皆有可能。

　　最后再回到我們開(kāi)頭提到的問(wèn)題上——中國大陸現在也把存儲芯片作為重點(diǎn)來(lái)抓，武漢新芯科技(XMC)已經(jīng)在武漢開(kāi)工建設12英寸晶圓廠(chǎng)，第一個(gè)目標就是NAND閃存，而且是直接切入3D NAND閃存，他們的3D NAND技術(shù)來(lái)源于飛索半導體(Spansion)，而后者又是1993年AMD和富士通把雙方的NOR閃存部門(mén)合并而來(lái)，后來(lái)他們又被賽普拉斯半導體以40億美元的價(jià)格收購。

　　2015年新芯科技與飛索半導體達成了合作協(xié)議，雙方合作研發(fā)、生產(chǎn)3D NAND閃存，主要以后者的MirrorBit閃存技術(shù)為基礎。不過(guò)小編搜遍了網(wǎng)絡(luò )也沒(méi)找到多少有關(guān)MirrorBit的技術(shù)資料。這兩家公司的閃存技術(shù)多是NOR領(lǐng)域的，3D NAND顯然是比不過(guò)三星、SK Hynix及東芝等公司的，有一種說(shuō)法是MirrorBit的堆棧層數只有8層，如果真是這樣，相比主流的32-48層堆棧就差很遠了，成本上不會(huì )有什么優(yōu)勢。