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EEPW首頁(yè) > 嵌入式系統 > 業(yè)界動(dòng)態(tài) > 存儲“芯”發(fā)展 剖析3D NAND閃存市場(chǎng)現狀

存儲“芯”發(fā)展 剖析3D NAND閃存市場(chǎng)現狀

作者: 時(shí)間:2016-04-12 來(lái)源:超能網(wǎng) 收藏
編者按:國內大力扶持存儲,各種巨額的投資項目爭議不小,但是為了存儲自主的未來(lái),也值。

  四大NAND豪門(mén)的閃存及特色

本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/201604/289533.htm

  在主要的NAND廠(chǎng)商中,三星最早量產(chǎn)了,其他幾家公司在閃存量產(chǎn)上要落后三星至少2年時(shí)間,Intel、美光去年才推出3D NAND閃存,Intel本月初才發(fā)布了首款3D NAND閃存的SSD,不過(guò)主要是面向企業(yè)級市場(chǎng)的。

  這四大豪門(mén)的3D NAND閃存所用的技術(shù)不同,堆棧的層數也不一樣,而Intel在常規3D NAND閃存之外還開(kāi)發(fā)了新型的3D XPoint閃存,它跟目前的3D閃存有很大不同,屬于殺手锏級產(chǎn)品,值得關(guān)注。


剖析3D NAND閃存市場(chǎng)現狀


  四大NAND豪門(mén)的3D NAND閃存規格及特色

  上述3D NAND閃存中,由于廠(chǎng)商不一定公布很多技術(shù)細節,特別是很少提及具體的制程工藝,除了三星之外其他廠(chǎng)商的3D NAND閃存現在才開(kāi)始推向市場(chǎng),代表性產(chǎn)品也不足。

  三星:最早量產(chǎn)的V-NAND閃存

  三星是NAND閃存市場(chǎng)最強大的廠(chǎng)商,在3D NAND閃存上也是一路領(lǐng)先,他們最早在2013年就開(kāi)始量產(chǎn)3D NAND閃存了。在3D NAND路線(xiàn)上,三星也研究過(guò)多種方案,最終量產(chǎn)的是VG垂直柵極結構的V-NAND閃存,目前已經(jīng)發(fā)展了三代V-NAND技術(shù),堆棧層數從之前的24層提高到了48層,TLC類(lèi)型的3D NAND核心容量可達到256Gb容量,在自家的840、850及950系列SSD上都有使用。


剖析3D NAND閃存市場(chǎng)現狀


  值得一提的是,三星在3D NAND閃存上領(lǐng)先不光是技術(shù)、資金的優(yōu)勢,他們首先選擇了CTF電荷擷取閃存(charge trap flash,簡(jiǎn)稱(chēng)CTF)路線(xiàn),相比傳統的FG(Floating Gate,浮柵極)技術(shù)難度要小一些,這多少也幫助三星占了時(shí)間優(yōu)勢。

  有關(guān)V-NAND閃存的詳細技術(shù)介紹可以參考之前的文章:NAND新時(shí)代起點(diǎn),三星V-NAND技術(shù)詳解

  東芝/閃迪:獨辟蹊徑的BiCS技術(shù)

  東芝是閃存技術(shù)的發(fā)明人,雖然現在的份額和產(chǎn)能被三星超越,不過(guò)東芝在NAND及技術(shù)領(lǐng)域依然非常強大,很早就投入3D NAND研發(fā)了,2007年他們獨辟蹊徑推出了BiCS技術(shù)的3D NAND——之前我們也提到了,2D NAND閃存簡(jiǎn)單堆棧是可以作出3D NAND閃存的,但制造工藝復雜,要求很高,而東芝的BiCS閃存是Bit Cost Scaling,強調的就是隨NAND規模而降低成本,號稱(chēng)在所有3D NAND閃存中BiCS技術(shù)的閃存核心面積最低,也意味著(zhù)成本更低。


剖析3D NAND閃存市場(chǎng)現狀


  東芝和閃迪是戰略合作伙伴,雙方在NAND領(lǐng)域是共享技術(shù)的,他們的BiCS閃存去年開(kāi)始量產(chǎn),目前的堆棧層數是48層,MLC類(lèi)型的核心容量128Gb,TLC類(lèi)型的容量可達256Gb,預計會(huì )在日本四日市的Fab 2工廠(chǎng)規模量產(chǎn),2016年可以大量出貨了。

  SK Hynix:悶聲發(fā)財的3D NAND

  在這幾家NAND廠(chǎng)商中,SK Hynix的3D NAND最為低調,相關(guān)報道很少,以致于找不到多少SK Hynix的3D NAND閃存資料,不過(guò)從官網(wǎng)公布的信息來(lái)看,SK Hynix的3D NAND閃存已經(jīng)發(fā)展了3代了,2014年Q4推出的第一代,2015年Q3季度推出的第二代,去年Q4推出的則是第三代3D NAND閃存,只不過(guò)前面三代產(chǎn)品主要面向eMCC 5.0/5.1、UFS 2.0等移動(dòng)市場(chǎng),今年推出的第四代3D NAND閃存則會(huì )針對UFS 2.1、SATA及PCI-E產(chǎn)品市場(chǎng)。


剖析3D NAND閃存市場(chǎng)現狀


  SK Hynix的3D NAND閃存堆棧層數從36層起步,不過(guò)真正量產(chǎn)的是48層堆棧的3D NAND閃存,MLC類(lèi)型的容量128Gb,TLC類(lèi)型的也可以做到256Gb容量。



關(guān)鍵詞: 存儲器 3D NAND

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