三星成為全球首家量產(chǎn)10nm級內存的公司

　　三星電子上月宣布，已經(jīng)在全球范圍內第一家實(shí)現了10nm級別工藝DDR4 DRAM內存顆粒的量產(chǎn)，也是繼2014年首個(gè)量產(chǎn)20nm DDR3內存顆粒后的又一壯舉。三星沒(méi)有披露新工藝的具體數字，只是模糊地稱(chēng)之為10nm級別或者1xnm，而根據韓國媒體此前報道，三星用的是18nm，繼續領(lǐng)先SK海力士、美光等對手。

　　三星表示，新工藝克服了DRAM行業(yè)中的大量技術(shù)挑戰，包括獨有的單元設計技術(shù)、四重曝光技術(shù)(QPT)、超薄介質(zhì)層沉積技術(shù)等等，而且依然使用了已有的氟化氬沉浸式光刻工藝，并未啟用昂貴且不成熟的EUV極紫外光刻。

　　新的1xnm DDR4內存顆粒單顆容量8Gb(1GB)，頻率高達3200MHz，相比于20nm工藝下的DDR4-2400性能可提升30%，同時(shí)同等頻率下功耗降低10-20%，PC、主流服務(wù)器、大型企業(yè)網(wǎng)絡(luò )、高性能計算系統中都有廣闊的前景，單條容量最大可做到128GB。

　　今年晚些時(shí)候，三星還會(huì )使用新工藝生產(chǎn)新的移動(dòng)用DRAM內存顆粒，面向智能手機和平板機領(lǐng)域。

　　隨著(zhù)新工藝的到來(lái)、產(chǎn)能的擴大，以及PC需求的下降、手機需求的增長(cháng)減緩，內存價(jià)格將在今年出現大幅度下滑，下半年至少會(huì )降20-30%，最多可達40%。三星18nm加入戰局，必然會(huì )進(jìn)一步刺激價(jià)格走低。