ARM與臺積電宣布7nm FinFET制程合作協(xié)議

　　ARM與臺積公司(TSMC)共同宣布一項為期多年的協(xié)議，針對7奈米FinFET制程技術(shù)進(jìn)行合作，包括支援未來(lái)低功耗、高效能運算系統單晶片(SoC)的設計解決方案。這項新協(xié)議將擴大雙方長(cháng)期的合作夥伴關(guān)系，推動(dòng)先進(jìn)制程技術(shù)向前邁進(jìn)，超越行動(dòng)產(chǎn)品的應用并進(jìn)入下一世代網(wǎng)路與資料中心的領(lǐng)域。此外，這項協(xié)議并延續先前采用ARM Artisan基礎實(shí)體IP之16奈米與10奈米FinFET的合作。

　　ARM執行副總裁暨產(chǎn)品事業(yè)群總經(jīng)理Pete Hutton表示：“既有以ARM為基礎的平臺已展現提升高達10倍運算密度的能力，支援特定資料中心的工作負載，未來(lái)ARM特別為資料中心與網(wǎng)路架構量身設計，并針對臺積公司7奈米FinFET進(jìn)行最佳化的技術(shù)，將協(xié)助雙方客戶(hù)在各種不同效能產(chǎn)品上皆能使用業(yè)界最低功耗的架構。”

　　臺積公司研究發(fā)展副總經(jīng)理侯永清表示：“臺積公司持續投入先進(jìn)制程技術(shù)的研發(fā)以支援客戶(hù)事業(yè)的成功，藉由7奈米FinFET制程，我們的制程與設計生態(tài)環(huán)境解決方案已經(jīng)從行動(dòng)擴大到高效能運算的應用?？蛻?hù)設計的下一世代高效能運算系統單晶片將受惠于臺積公司領(lǐng)先業(yè)界的7奈米FinFET制程。相較于10奈米FinFET制程，7奈米FinFET制程將在相同功耗下提供更多的效能優(yōu)勢，或在相同效能下提供更低的功耗。ARM與臺積公司共同最佳化的解決方案將能夠協(xié)助客戶(hù)推出具有顛覆性創(chuàng )新且市場(chǎng)首創(chuàng )的產(chǎn)品。”

　　此項最新協(xié)議奠基于A(yíng)RM與臺積公司先前在16奈米FinFET與10奈米FinFET制程技術(shù)成功的合作基礎之上。臺積公司與ARM長(cháng)期保持合作，共同創(chuàng )新，提供先進(jìn)的制程與矽智財來(lái)協(xié)助客戶(hù)加速產(chǎn)品開(kāi)發(fā)周期。近期成果包括客戶(hù)及早使用Artisan實(shí)體IP及采用16奈米FinFET與10奈米FinFET制程完成的ARM Cortex-A72處理器設計定案。