三星2016年將以量產(chǎn)10納米級守住領(lǐng)先優(yōu)勢

　　三星電子(Samsung Electronics)半導體事業(yè)2016年將正式進(jìn)入10納米(nm)時(shí)代。借著(zhù)量產(chǎn)18納米DRAM與10納米鰭式場(chǎng)效晶體管(FinFET)制程芯片，以擴大技術(shù)差距的策略守住半導體領(lǐng)先優(yōu)勢。

　　據首爾經(jīng)濟報導，三星半導體事業(yè)暨裝置解決方案事業(yè)部(Device Solution;DS)在副會(huì )長(cháng)權五鉉主持下，在韓國京畿道器興營(yíng)業(yè)處召開(kāi)全球戰略會(huì )議。據傳半導體總監金奇南、存儲器事業(yè)部長(cháng)全永鉉等經(jīng)營(yíng)團隊核心人物與海外分公司主管總動(dòng)員，共商2016年新品量產(chǎn)與各地區的行銷(xiāo)策略。

　　與會(huì )者分享半導體研究所提出的中期技術(shù)發(fā)展藍圖，并針對尚未商用化的下一代RAM等未來(lái)潛力產(chǎn)品，討論有效率的研發(fā)量產(chǎn)方案。三星有關(guān)人士表示，這次戰略會(huì )議的討論重點(diǎn)，是如何發(fā)展存儲器與系統半導體兩大主軸，以維持2016年市場(chǎng)地位。

　　據業(yè)界消息，三星最快2016年上半就會(huì )量產(chǎn)18納米DRAM，宣告DRAM就此進(jìn)入10納米級時(shí)代。最早開(kāi)始生產(chǎn)20納米DRAM的三星電子也以成為首家量產(chǎn)10納米級DRAM的業(yè)者為目標，并力圖與國內外競爭對手維持1~2年的技術(shù)差距，以守住存儲器市場(chǎng)第一的地位。

　　此外，三星也正在開(kāi)發(fā)14納米平面NAND Flash、64層3D NAND等重點(diǎn)產(chǎn)品，部分可望在2016年量產(chǎn)。

　　三星系統半導體在2016年達到10納米制程階段的可能性也很高，據傳此次會(huì )議中，也審視了以最先進(jìn)制程技術(shù)吸引代工事業(yè)客戶(hù)的計劃。業(yè)界認為三星最快2016年第4季就可采用10納米FinFET制程量產(chǎn)系統半導體，進(jìn)度可望超越英特爾(Intel)的14納米與臺積電的16納米制程。

　　另一方面，三星半導體設計能力在2016年也備受期待。三星最近宣布結合移動(dòng)應用處理器(AP)，與通訊用數據芯片的整合芯片Exynos 8 Octa已開(kāi)發(fā)成功，在2015年底開(kāi)始量產(chǎn)，并將搭載于2016年上市的旗艦智能型手機。

　　此外，三星也預定在2016年大舉推出下一代系統半導體產(chǎn)品。應用于健康照護穿戴式裝置的生物處理器(Bio Processor)將在上半年首度登場(chǎng);可讓開(kāi)發(fā)者自由利用的物聯(lián)網(wǎng)(IoT)平臺模組ARTIK，也很有機會(huì )在2016年上市。