德州儀器超小型 FemtoFET? MOSFET 支持最低導通電阻

　　日前，德州儀器 (TI) 宣布面向智能手機與平板電腦等空間有限手持應用推出業(yè)界最小型低導通電阻 MOSFET。該最新系列 FemtoFET™ MOSFET 晶體管采用超小型封裝，支持不足 100 毫歐的導通電阻。

　　三個(gè) N 通道及三個(gè) P 通道 FemtoFET MOSFET 均采用平面柵格陣列 (LGA) 封裝，與芯片級封裝 (CSP) 相比，其可將板積空間銳減 40%。CSD17381F4 與 CSD25481F4 支持不足 100 毫歐的導通電阻，比目前市場(chǎng)上類(lèi)似器件低 70%。所有 FemtoFET MOSFET 均提供超過(guò) 4000V 的人體模型 (HVM) 靜電放電 (ESD) 保護。

　　FemtoFET MOSFET 歸屬 TI NexFET 功率 MOSFET 產(chǎn)品系列，該系列還包括適用于手機等便攜式應用的 CSD25213W10 P 通道器件以及 CSD13303W1015 N 通道器件等。TI 提供 LP5907 大電流低壓降 (LDO) 線(xiàn)性穩壓器以及 TPS65090 前端電源管理單元 (PMU) 等各種系列的電源管理產(chǎn)品，可為手持應用節省板級空間，降低功耗。

　　FemtoFET MOSFET 系列的主要特性與優(yōu)勢

　　· 不足 100 毫歐的導通電阻比類(lèi)似器件低 70%，可節省電源，延長(cháng)電池使用壽命;
　　· FemtoFET 0.6 毫米 × 1.0 毫米 × 0.35 毫米的 LGA 封裝比標準 CSP 小 40%;
　　· 1.5A 至 3.1A 的持續漏極電流值與當前市場(chǎng)類(lèi)似尺寸器件相比，可提供超過(guò) 2 倍的性能。

　　供貨情況

　　FemtoFET MOSFET 器件現已開(kāi)始批量供貨，可通過(guò) TI 及其授權分銷(xiāo)商進(jìn)行訂購。