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導通電阻
導通電阻 文章 進(jìn)入導通電阻技術(shù)社區
EPC推出首款具有最低1mΩ導通電阻的GaN FET
- 全球增強型氮化鎵(GaN)功率 FET 和 IC領(lǐng)域的領(lǐng)導者宜普電源轉換公司（EPC）推出 100 V、1 mOhm EPC2361。這是市場(chǎng)上具有最低導通電阻的GaN FET，與EPC的上一代產(chǎn)品相比，其功率密度提高了一倍。EPC2361的RDS(on)典型值只有1 mOhm，采用耐熱QFN封裝，頂部裸露，封裝尺寸只有3 mm x 5 mm。EPC2361的RDS(on)最大值x面積僅為15 mΩ*mm2 –比等效100 V 硅MOSFET的體積小超過(guò)五倍。憑借超低導通電阻
- 關(guān)鍵字： EPC 1mΩ 導通電阻 GaN FET
適用于熱插拔應用的具有導通電阻的高效 MOSFET
- 熱插拔是指將電子設備插入帶電電源；這可能會(huì )損壞相關(guān)電子設備。電容性負載可能會(huì )產(chǎn)生較大的負載電流，從而給電源、電纜組件和任何限流電路帶來(lái)壓力。此外，電纜寄生電感上的電壓變化會(huì )引起電壓尖峰，從而進(jìn)一步損壞電子設備。熱插拔是指將電子設備插入帶電電源；這可能會(huì )損壞相關(guān)電子設備。電容性負載可能會(huì )產(chǎn)生較大的負載電流，從而給電源、電纜組件和任何限流電路帶來(lái)壓力。此外，電纜寄生電感上的電壓變化會(huì )引起電壓尖峰，從而進(jìn)一步損壞電子設備。簡(jiǎn)介熱插拔是指將電子設備插入帶電電源；這可能會(huì )損壞相關(guān)電子設備。電容性負載可能會(huì )產(chǎn)生較大的
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英飛凌推出面向汽車(chē)的OptiMOS? 7 40V MOSFET
- 【2023 年 5 月 12 日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE 代碼：IFX / OTCQX 代碼：IFNNY）推出 OptiMOS? 7 40V MOSFET 系列。作為英飛凌最新一代面向汽車(chē)應用的功率 MOSFET，OptiMOS? 7 40V MOSFET提供多種無(wú)引腳、堅固的功率封裝。該系列產(chǎn)品采用了 300 毫米薄晶圓技術(shù)和創(chuàng )新的封裝，相比于其它采用微型封裝的器件，具有顯著(zhù)的性能優(yōu)勢。這使得全新 MOSFET 成為所有的標準和未來(lái)車(chē)用 40V MOSFET 應用的理想選擇，如電動(dòng)助力
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 OptiMOS 導通電阻
ITECH半導體測試方案解析，從容應對全球功率半導體市場(chǎng)風(fēng)起云涌
- 全球功率半導體市場(chǎng)風(fēng)起云涌，行業(yè)整合步伐加速。作為電力控制/節能減排核心半導體器件，功率半導體器件廣泛應用于從家電、消費電子到新能源汽車(chē)、智能電網(wǎng)等諸多領(lǐng)域。順全球半導體產(chǎn)業(yè)洗牌大勢，近年來(lái)功率半導體產(chǎn)業(yè)整合步伐急速提升
- 關(guān)鍵字： ITECH程控電源及電子負載 IGBT模塊 (600-2400V/4A-1800A) 電能轉換器件 光伏/智能電網(wǎng)/充電樁 什么是IGBT 導通電阻
負載開(kāi)關(guān)技術(shù)的發(fā)展在現代應用的電源管理中發(fā)揮重要作用
- 作者/Bryson Barney 安森美半導體 應用工程師 摘要：負載開(kāi)關(guān)在電源管理和負載保護中發(fā)揮重要作用。在為特定應用選擇負載開(kāi)關(guān)時(shí)有一些因素要考慮，此外，現在還可以使用一些性能和功能得以改進(jìn)的新器件?！ ￡P(guān)鍵詞：負載開(kāi)光；電源管理；導通電阻 0 引言 電源是推動(dòng)我們現代世界技術(shù)的命脈，我們越來(lái)越依賴(lài)高科技產(chǎn)品在忙碌的工作中和工作外的生活中幫助我們。管理和控制電源是高科技、低功耗應用的一個(gè)重要主題。無(wú)論是為更大的設備開(kāi)發(fā)復雜的多軌電源系統，還是利用電池供電設備的最后一小部分電量，電源管理都是
- 關(guān)鍵字： 201906 負載開(kāi)光 電源管理 導通電阻
導通電阻介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條導通電阻!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對導通電阻的理解，并與今后在此搜索導通電阻的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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