電源控制芯片中的過(guò)流保護設計
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圖11 閉環(huán)總體仿真波形
3 結論
本文闡述了幾種過(guò)流檢測方法，分析了每種方法的優(yōu)缺點(diǎn)。設計了一款閉環(huán)控制型的過(guò)流保護電路，它采用直接檢測LDMOS 管漏端電壓的方法，可以克服采用電阻檢測時(shí)消耗能量，芯片容易發(fā)熱的缺點(diǎn)，同時(shí)提高了開(kāi)關(guān)電源DC/DC 的能量轉換效率。另外，采取有比采樣電路設計，克服了工藝偏差的影響，提高了采樣精度。
基于3μm高壓BCD 工藝，我們在Cadence 設計環(huán)境中利用電路模擬器Spectre 對該控制電路進(jìn)行了分模塊和整體模塊的仿真，結果表明該電路可以較好地實(shí)現實(shí)時(shí)過(guò)流保護功能。
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