LED芯片使用過(guò)程中經(jīng)常遇到的問(wèn)題及解析方案

　1.正向電壓降低，暗光

　　A：一種是電極與發(fā)光材料為歐姆接觸，但接觸電阻大，主要由材料襯底低濃度或電極缺損所致。

　　B：一種是電極與材料為非歐姆接觸，主要發(fā)生在芯片電極制備過(guò)程中蒸發(fā)第一層電極時(shí)的擠壓印或夾印，分布位置。

　　另外封裝過(guò)程中也可能造成正向壓降低，主要原因有銀膠固化不充分，支架或芯片電極沾污等造成接觸電阻大或接觸電阻不穩定。

　　正向壓降低的芯片在固定電壓測試時(shí)，通過(guò)芯片的電流小，從而表現暗點(diǎn)，還有一種暗光現象是芯片本身發(fā)光效率低，正向壓降正常。

　　2.難壓焊：(主要有打不粘，電極脫落，打穿電極)

　　A：打不粘：主要因為電極表面氧化或有膠

　　B：有與發(fā)光材料接觸不牢和加厚焊線(xiàn)層不牢，其中以加厚層脫落為主。

　　C：打穿電極：通常與芯片材料有關(guān)，材料脆且強度不高的材料易打穿電極，一般GAALAS材料(如高紅，紅外芯片)較GAP材料易打穿電極，

　　D：壓焊調試應從焊接溫度，超聲波功率，超聲時(shí)間，壓力，金球大小，支架定位等進(jìn)行調整。

　　3.發(fā)光顏色差異：

　　A：同一張芯片發(fā)光顏色有明顯差異主要是因為外延片材料問(wèn)題，ALGAINP四元素材料采用量子結構很薄，生長(cháng)是很難保證各區域組分一致。(組分決定禁帶寬度，禁帶寬度決定波長(cháng))。

　　B：GAP黃綠芯片，發(fā)光波長(cháng)不會(huì )有很大偏差，但是由于人眼對這個(gè)波段顏色敏感，很容易查出偏黃，偏綠。由于波長(cháng)是外延片材料決定的，區域越小，出現顏色偏差概念越小，故在M/T作業(yè)中有鄰近選取法。

　　C：GAP紅色芯片有的發(fā)光顏色是偏橙黃色，這是由于其發(fā)光機理為間接躍進(jìn)。受雜質(zhì)濃度影響，電流密度加大時(shí)，易產(chǎn)生雜質(zhì)能級偏移和發(fā)光飽和，發(fā)光是開(kāi)始變?yōu)槌赛S色。

　　4.閘流體效應;

　　A：是發(fā)光二極管在正常電壓下無(wú)法導通，當電壓加高到一定程度，電流產(chǎn)生突變。

　　B：產(chǎn)生閘流體現象原因是發(fā)光材料外延片生長(cháng)時(shí)出現了反向夾層，有此現象的LED在IF=20MA時(shí)測試的正向壓降有隱藏性，在使用過(guò)程是出于兩極電壓不夠大，表現為不亮，可用測試信息儀器從晶體管圖示儀測試曲線(xiàn)，也可以通過(guò)小電流IF=10UA下的正向壓降來(lái)發(fā)現，小電流下的正向壓降明顯偏大，則可能是該問(wèn)題所致。

　　5.反向漏電：

　　A：原因：外延材料，芯片制作，器件封裝，測試一般5V下反向漏電流為10UA，也可以固定反向電流下測試反向電壓。

　　B：不同類(lèi)型的LED反向特性相差大：普綠，普黃芯片反向擊穿可達到一百多伏，而普芯片則在十幾二十伏之間。

　　C：外延造成的反向漏電主要由PN結內部結構缺陷所致，芯片制作過(guò)程中側面腐蝕不夠或有銀膠絲沾附在測面，嚴禁用有機溶液調配銀膠。以防止銀膠通過(guò)毛細現象爬到結區。