概述LED芯片生產(chǎn)過(guò)程與MOCVD知識

LED外延片（外延片）

LED芯片產(chǎn)生前的LED外延片生長(cháng)的基本原理是：在一塊加熱至適當溫度的襯底基片（主要有藍寶石和、SiC、Si）上，氣態(tài)物質(zhì)InGaAlP有控制的輸送到襯底表面，生長(cháng)出特定單晶薄膜。目前LED外延片生長(cháng)技術(shù)主要采用有機金屬化學(xué)氣相沉積（MOCVD）方法。

MOCVD

金屬有機物化學(xué)氣相淀（Metal-OrganicChemicalVaporDeposition，簡(jiǎn)稱(chēng)MOCVD），1968年由美國洛克威爾公司提出來(lái)的一項制備化合物半導體單品薄膜的新技術(shù)。該設備集精密機械、半導體材料、真空電子、流體力學(xué)、光學(xué)、化學(xué)、電腦多學(xué)科為一體，是一種自動(dòng)化程度高、價(jià)格昂貴、技術(shù)集成度高的尖端光電子專(zhuān)用設備，主要用于GaN（氮化）系半導體材料的外延生長(cháng)和藍色、綠色或紫外發(fā)光二極體芯片的制造，也是光電子行業(yè)最有發(fā)展前途的專(zhuān)用設備之一。

LED芯片的生產(chǎn)過(guò)程

LED外延片的生產(chǎn)制作過(guò)程比較復雜：

1.展完外延片后在每張外延片隨意抽取九點(diǎn)做測試。符合要求的為良品，其他為不良品（電壓偏差很大，波長(cháng)偏短或偏長(cháng)等）。

2.良品的外延片要做電極（P極，N極）。接下來(lái)就用鐳射切割外延片，然后100％分撿，根據不同的電壓，波長(cháng)，亮度進(jìn)行全自動(dòng)化分檢，形成LED芯片（方片）。

3.最后還要進(jìn)行目測，把有缺陷或者電極有磨損的分撿出來(lái)，這些就是后面的散晶。此時(shí)在藍膜上有不符合出貨要求的芯片，這些就成了邊片或毛片等。不良品的外延片，一般不用來(lái)做方片，就直接做電極（P極，N極），也不用做分檢，這些就是目前市場(chǎng)上的LED大圓片。

外延片技術(shù)的成功需要具備以下三個(gè)條件：

1.對設備的精確掌握。MOVCD由于各項成本很高，保養周期以及配件的準備充分都很重要。

2.外延原理的掌握，材料的成長(cháng)需要具備物理、材料學(xué)和分析技術(shù)三項基本功夫，能掌握這些，材料的生長(cháng)就可具備一定的能力。

3.持之以恒的實(shí)驗精神，外延結果需要恒心的等待，因為除了基本的分析外，結果的觀(guān)察與紀錄，做成LED芯片結果的分析，都需要耐心與恒心。