應用于便攜及消費產(chǎn)品的安森美半導體完整ESD及EMI保護方案

根據規格，每個(gè)元件都有一個(gè)通帶范圍。這些器件的可截止高頻范圍從700 MHz至6 GHz。

第二類(lèi)EMI濾波器適用于高速串行接口，功能超過(guò)了典型低通濾波器。這類(lèi)接口是具有固有噪聲抑制的差分信號路徑，但不會(huì )完全免疫來(lái)自外部源的共模噪聲，或阻止來(lái)自輻射到系統其他部分的接口信號。

圖6：共模濾波器(CMF)特性

受保護的共模濾波器(pCMF)可以用來(lái)消除不必要的共模噪聲，也可以防止輻射的有害共模噪聲信號從高速接口進(jìn)入系統的其它部分。同時(shí)，它還可以使高速數據通道幾乎不受干擾。

除了ESD沖擊保護，安森美半導體還提供防止由雷擊或功率交叉(power-cross)故障造成浪涌沖擊的解決方案。各種消費電子和電信/網(wǎng)絡(luò )設備中的通用接口都是符合10/100BASE-T和1000BASE-T以太網(wǎng)協(xié)議的RJ45接口，其浪涌額定值往往是室內標準。這些接口由四對差分數據線(xiàn)組成，每根線(xiàn)可傳輸最高250 Mbps的數據速率。這類(lèi)接口的保護需要確保橫向(金屬性)浪涌沖擊不致?lián)p壞敏感的下游芯片（如物理層）。這是通過(guò)線(xiàn)至線(xiàn)(每對線(xiàn))連接分流保護元件(shunt protection element)來(lái)轉移進(jìn)入的浪涌能量實(shí)現的。

對于較低數據速率(10/100BASE-T)的應用，安森美半導體提供了一種稱(chēng)為T(mén)SPD(晶閘管浪涌保護器件)的消弧(crowbar)器件組合，以及用于類(lèi)似ESD保護的鉗位器件。TSPD可提供低鉗位電壓的優(yōu)勢，并具有較高的浪涌電流能力。例如，這些器件可以滿(mǎn)足GR-1089 10/1000 μs標準的要求，因此適合初級端或次級端的保護，也被稱(chēng)為“線(xiàn)端”保護。TVS(瞬態(tài)抑制二極管)鉗位器件支持8/20 μs脈沖的浪涌級別，通常用于第三級(tertiary)或PHY側以捕獲并安全地消除任何殘余浪涌脈沖。

典型電路保護應用示例
智能手機應用是一種比較典型的保護應用，安森美半導體的解決方案包括數據濾波器、ESD保護二極管及陣列和電壓保護器件等。消費和便攜式應用的USB2.0保護包括高速對、VCC和低電容ESD保護；而USB 3.0則有兩個(gè)超高速對和一個(gè)高速對，以及VCC、低電容ESD保護。eSATA接口有兩個(gè)高速對和低電容ESD保護。

圖7：智能手機框圖及需要保護的I/O接口(見(jiàn)右下側淺藍色背景區域)

針對4至12線(xiàn)的攝像頭和顯示器的并行接口，安森美半導體有低通LC濾波器+ ESD保護器件，以及3至5個(gè)高速串行通道的共模濾波器+ ESD保護。對于便攜式HDMI、消費類(lèi)HDMI/顯示端口，可以采用四個(gè)高速對、多達6個(gè)額外接口線(xiàn)、低電容ESD+共模濾波器方案。

此外，安森美半導體的保護應用還包括音頻(音箱/耳機)、SD接口、SIM卡、鍵盤(pán)EMI抑制、以太網(wǎng)，以及T1/E1、T3/E3和xDSL端口等，可以滿(mǎn)足消費類(lèi)電子產(chǎn)品對強大ESD保護及減少EMI/RFI噪聲的更高要求。