車(chē)載以太網(wǎng)的噪聲問(wèn)題如何應對?村田的完整方案來(lái)了~
目錄
1、汽車(chē)車(chē)載以太網(wǎng)的普及
2 、通過(guò)車(chē)載以太網(wǎng)傳輸信號
3 、車(chē)載以太網(wǎng)的噪聲問(wèn)題
4 、共模噪聲的產(chǎn)生因素
5、 車(chē)載以太網(wǎng)的靜噪措施
6 、用于車(chē)載以太網(wǎng)的CMCC的注意事項
7、 傳導發(fā)射對策
8 、抗擾度(DPI)試驗對策
9 、抗擾度(DPI)試驗對策的要點(diǎn)
10、 總結
01
汽車(chē)車(chē)載以太網(wǎng)的普及
作為支持ADAS的設備,各種傳感器和攝像頭已被逐漸配置于汽車(chē)中。攝像頭數據傳輸通常使用LVDS等接口,而傳輸LiDAR等傳感器的數據時(shí),采用車(chē)載以太網(wǎng)的案例則正逐漸增多。
辦公用以太網(wǎng)采用了100Base-TX或1000Base-T標準,而用于汽車(chē)的以太網(wǎng)則規定使用100Base-T1或1000Base-T1標準(下圖)。
02
通過(guò)車(chē)載以太網(wǎng)傳輸信號
以太網(wǎng)等的車(chē)載接口采用了外部噪聲的影響較少或輻射較少的差動(dòng)傳輸信號。
外部噪聲通常會(huì )同時(shí)出現在兩條差動(dòng)傳輸信號線(xiàn)上,對其差分沒(méi)有影響,因此差動(dòng)傳輸信號線(xiàn)的抗外部噪聲能力較強。
針對外部噪聲
另外,成對的信號線(xiàn)相鄰,因此信號電流產(chǎn)生的磁場(chǎng)相互抵消,具有不易向外部輻射噪聲的優(yōu)點(diǎn)。
針對噪聲輻射
03
車(chē)載以太網(wǎng)的噪聲問(wèn)題
差動(dòng)傳輸線(xiàn)雖然被認為不易產(chǎn)生噪聲,但卻會(huì )由于各種因素而產(chǎn)生共模電流,從而引發(fā)噪聲問(wèn)題(下圖)。
由于各種因素而產(chǎn)生共模電流
04
共模噪聲的產(chǎn)生因素
差動(dòng)傳輸線(xiàn)的特點(diǎn)原本是不產(chǎn)生共模噪聲,但如果兩條線(xiàn)的信號存在偏斜(時(shí)間偏差)或振幅偏差,則兩條線(xiàn)的信號均衡將被打破,從而產(chǎn)生共模噪聲(下圖)。
正常的差動(dòng)信號與存在偏斜時(shí)、有振幅偏差時(shí)的情況
差模:正常的差動(dòng)信號與存在偏斜時(shí)、有振幅偏差時(shí)的情況
共模:正常的差動(dòng)信號與存在偏斜時(shí)、有振幅偏差時(shí)的情況
05
車(chē)載以太網(wǎng)的靜噪措施
用于以太網(wǎng)的電纜和HDMI、USB等的電纜之間有所區別。
與成對信號線(xiàn)不同,HDMI或USB等的電纜中備有GND線(xiàn),因此即使產(chǎn)生共模電流,也會(huì )通過(guò)GND線(xiàn)返回,從而使共模電流產(chǎn)生的磁場(chǎng)相互抵消,不易發(fā)生輻射。相反,以太網(wǎng)未配置GND線(xiàn),因此共模電流通過(guò)對地雜散電容返回,從而具有易輻射的傾向。
HDMI、USB等的電纜
電纜中添加了GND線(xiàn),因此可消除共模電流所產(chǎn)生的部分磁場(chǎng)。所以, 因共模電流而產(chǎn)生的輻射減少。
以太網(wǎng)的電纜
以太網(wǎng)的電纜中沒(méi)有GND線(xiàn),因此無(wú)法消除共模電流所產(chǎn)生的磁場(chǎng)。因共模電流而產(chǎn)生的輻射增大,因此需要通過(guò)元件進(jìn)行靜噪。
車(chē)載以太網(wǎng)等的差動(dòng)傳輸靜噪措施中,共模扼流圈(CMCC)較為有效。 共模扼流圈將兩條線(xiàn)以相反方向纏繞在同一卷芯部上,對于差模電流,兩條線(xiàn)產(chǎn)生的磁通相互抵消,因此不影響差動(dòng)電流,而對于共模電流,兩條線(xiàn)產(chǎn)生的磁通則相互加強,所以可用作電感器。因此,共模扼流圈可在不影響差動(dòng)信號的基礎上有效降低共模噪聲。
以太網(wǎng)的電纜,可選擇性地僅消除共模噪聲。
06
用于車(chē)載以太網(wǎng)的CMCC的注意事項
在車(chē)載以太網(wǎng)方面,CMCC的均衡也很重要。如果構成CMCC的兩條線(xiàn)的線(xiàn)路長(cháng)度和繞線(xiàn)方式出現偏差,電流均衡將被打破,模式將發(fā)生轉換,從而可能產(chǎn)生共模噪聲。因此,應選用兩條線(xiàn)采用了均衡設計的CMCC。
用于車(chē)載以太網(wǎng)的CMCC的注意事項
如果兩個(gè)線(xiàn)圈之間的CMCC線(xiàn)路長(cháng)度等存在偏差,則可能因模式轉換而產(chǎn)生新的共模噪聲。 應選擇模式轉換較少的元件。
作為最適合1000Base-T1靜噪的CMCC,DLW32MH101XT2已被作為產(chǎn)品開(kāi)發(fā)。該村田產(chǎn)品具有適用于1000Base-T1的阻抗值,并采用了不易發(fā)生模式轉換的均衡設計。
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DLW32MH101XT2
DLW32MH101XT2有以下三個(gè)優(yōu)點(diǎn):
可有效降低汽車(chē)內部網(wǎng)絡(luò )信號線(xiàn)輻射出的噪聲。
符合車(chē)載以太網(wǎng)標準1000Base-T1。
可應對汽車(chē)用途的工作溫度范圍(-40~125°C)。
DLW32MH101XT2的傳輸特性 如下圖:
DLW32MH101XT2的傳輸特性,包括:
Sdd21(差模傳輸特性)
Scc21(共模傳輸特性)
Sdd11(差模反射特性)
Ssd12(模式轉換特性)
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07
傳導發(fā)射對策
村田使用1000Base-T1 EMC評估板進(jìn)行了傳導發(fā)射測量(150Ω法)。
傳導發(fā)射測量
傳導發(fā)射測量條件如下表:
頻率 | 150k – 1600MHz |
RBW | 9kHz (150k-30MHz) 120kHz (30-1600MHz) |
Dwell Time | 5ms/Hz |
Step Size | 3.6kHz (150k-30MHz) 48kHz (30-1600MHz) |
EUT | 1000Base-T1 EMC Test Board |
EMI Test Receiver | N9030A(Keysight) |
Pre-Amplifier | 8447D(Keysight) |
DC Power Supply | GP035-5(Takasago) |
從1000Base-T1 EMC評估板的信號線(xiàn)中提取共模噪聲,用EMI接收機進(jìn)行測量。此次通過(guò) 更換CMCC進(jìn)行了噪聲比較 。
不同CMCC的降噪效果比較
用于評估的CMCC使用了1000Base-T1用產(chǎn)品DLW32MH101XT2,比較對象使用了100Base-T1用產(chǎn)品DLW43MH201XK2,CAN使用了產(chǎn)品DLW32SH101XK2。(注:減少傳導發(fā)射時(shí)所使用的CMCC中,DLW32SH101XK2已停止生產(chǎn))。
對比元件的傳輸特性,包括:
Sdd21(差模傳輸特性)
Scc21(共模傳輸特性)
Sdd11(差模反射特性)
Ssd12(模式轉換特性)
傳導發(fā)射測量結果顯示,1000Base-T1用產(chǎn)品DLW32MH101XT2的噪聲抑制效果最為明顯,且滿(mǎn)足限值要求。而DLW43MH201XK2、DLW32SH101XK2則未能在滿(mǎn)足限值要求之前抑制噪聲。
傳導發(fā)射測量結果
噪聲抑制效果因CMCC而不同的原因,可能是受到CMCC模式轉換特性Ssd12的影響。Ssd12值較高時(shí),輸入的差模信號轉換為共模噪聲的比例將增加,從而導致噪聲水平增高。
噪聲產(chǎn)生機制
Scc21在低頻段抑制共模噪聲的程度、Ssd12的模式轉換特性在高頻段減少共模轉換量的程度,將可能影響傳導發(fā)射測量結果。
降噪要點(diǎn)
通過(guò)評估CMCC,村田了解了進(jìn)行評估時(shí) 評估板設計的注意事項 。
將用于1000Base-T1的同一CMCC樣品貼裝到相同條件的評估板后,結果顯示二者噪聲水平有所不同,其中一個(gè)評估板變?yōu)镹G狀態(tài)。
即使是相同的CMCC樣品,也可能因評估板狀態(tài)而出現NG的情況。
評估板設計的注意事項
通過(guò)對評估板的傳輸線(xiàn)路特性進(jìn)行分析,發(fā)現CMCC輸出端的模式轉換特性有所不同,評估板#2的值較高(上圖)。
發(fā)生模式轉換的部分
傳導噪聲水平因評估板而異的原因在于,通過(guò)CMCC后的差模信號在評估板上轉換成了共模噪聲。
引發(fā)模式轉換的因素可能包括CMCC輸出端的電阻、電容器和電路板引線(xiàn)等,因其特性偏差而導致了不均衡現象的發(fā)生。
模式轉換發(fā)生機制
因此,對于CMCC以外的部分也應注意保持各條線(xiàn)的特性均衡。
可能引發(fā)模式轉換的因素
作為對比驗證,我們還測量了100Base-T1的傳導發(fā)射。
對100Base-T1進(jìn)行了相同的傳導發(fā)射測量后,發(fā)現用于CAN的DLW32SH101XK2超出限值,而100Base-T1用產(chǎn)品DLW43MH201XK2則能充分有效地抑制噪聲且滿(mǎn)足限值要求。
100Base-T1和1000Base-T1的傳導發(fā)射
劃重點(diǎn):
100Base-T1與1000Base-T1的區別:
100Base-T1與1000Base-T1的差模信號所含頻率成分不同(下圖),所以所需模式轉換特性也不同。因此,應選用按各自標準設計的CMCC。
差動(dòng)信號波形頻譜
08
抗擾度(DPI)試驗對策
村田使用與傳導發(fā)射相同的1000Base-T1 EMC評估板進(jìn)行了DPI(Direct Power Injection)試驗。
抗擾度(DPI)試驗對策
抗擾度(DPI)試驗測量條件如下表:
頻率 | 1 - 1000MHz |
Power(MAX) | 39dBm |
Power Step | 0.5dB |
EUT | 1000Base-T1 EMC Test Board |
DC Power Supply | GP035-5(Takasago) |
Signal Generator | SML02(Rohde&Schwarz) |
Power Amplifier | BSA1040-100 (1-400MHz) BLWA4010-100 (400-1000MHz) |
從外部向1000Base-T1 EMC評估板的信號線(xiàn)注入共模噪聲,在控制PC中確認了是否發(fā)生通信錯誤。
抗擾度(DPI)試驗對策
與傳導發(fā)射相同,該試驗使用了用于1000Base-T1的CMCC,即DLW32MH101XT2、用于100Base-T1的DLW43MH201XK2,以及用于CAN的DLW32SH101XK2進(jìn)行了評估。
對比元件的傳輸特性,包括:
Sdd21(差模傳輸特性)
Scc21(共模傳輸特性)
Sdd11(差模反射特性)
Ssd12(模式轉換特性)
1000Base-T1的DPI試驗結果:
在2MHz以下的低頻段中,雖然電平會(huì )因CMCC不同而產(chǎn)生差異,但除此之外的其他表現并無(wú)差異,滿(mǎn)足了所有限值。
1000Base-T1的DPI試驗結果
在2MHz以下頻段,因CMCC而出現的不同可能取決于Scc21因素。因模式轉換特性而產(chǎn)生的差異并未影響DPI試驗。
1000Base-T1的DPI試驗結果
09
抗擾度(DPI)試驗對策的要點(diǎn)
繼1000Base-T1之后,在100Base-T1下進(jìn)行的DPI試驗結果(下圖)顯示,用于100Base-T1的CMCC滿(mǎn)足限值要求,而使用用于CAN的CMCC時(shí),不僅在1MHz以下低頻段的表現遜色于用于100Base-T1的CMCC,且在8~60MHz范圍內還低于限值,結果為NG。
100Base-T1的DPI試驗結果
在2MHz以下頻段的不同可能取決于Scc21因素。此外,在8~60MHz頻段的不同則可能取決于模式轉換特性。
100Base-T1的DPI試驗結果
在100Base-T1下,CMCC的模式轉換特性對試驗結果產(chǎn)生了影響,其原因可能在于從外部注入的共模噪聲轉換為差模噪聲,使信號波形失真,進(jìn)而引發(fā)通信錯誤。
噪聲侵入機制
與傳導發(fā)射相同,除CMCC以外,因評估板上不均衡的設計而發(fā)生的模式轉換也會(huì )產(chǎn)生影響,因此進(jìn)行評估板設計時(shí)需要加以注意??赡芤l(fā)模式轉換的因素示例見(jiàn)下圖:
評估板設計的注意事項
10
總結
車(chē)載以太網(wǎng)標準1000Base-T1要求用于靜噪的CMCC需具有高性能,而模式轉換特性則尤其重要。
評估傳導發(fā)射時(shí),需要準備滿(mǎn)足1000Base-T1的要求值且具有模式轉換特性的CMCC,以達到抑制噪聲的目的。用于CAN或100Base-T1的CMCC無(wú)法滿(mǎn)足限值要求。
即便使用用于1000Base-T1的CMCC,也有可能因電路板的設計或要貼裝的元件的偏差而使模式轉換特性的性能降低、噪聲增加,因此設計時(shí)需要加以注意。
抗擾度試驗,即DPI試驗對CMCC性能的要求比傳導發(fā)射試驗低,但由于抗噪性因PHY而異,因此建議選擇模式轉換特性較低的CMCC。
文章中提到的相關(guān)產(chǎn)品信息如下(點(diǎn)擊產(chǎn)品名進(jìn)入產(chǎn)品頁(yè)面):
對應I/F | 1000Base-T1 | 100Base-T1 |
型號 | DLW32MH101XT2 | DLW43MH201XK2 |
尺寸 | 3.2×2.5mm | 4.5×3.2mm |
共模電感 | 100μH typ | 200μH typ |
額定電流 | 100mA | 110mA |
注:測試中使用的DLW32SH101XK2已停止生產(chǎn)。
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