液化空氣集團電子氣業(yè)務(wù)加強高介電常數鋯基前驅體的專(zhuān)利保護

　　液化空氣集團電子氣業(yè)務(wù)線(xiàn)近日宣布，其應用于半導體制造的前驅體ZyALD?已獲得中國專(zhuān)利局授予的相關(guān)專(zhuān)利，從而使中國成為了繼韓國、新加坡、中國臺灣以及部分歐洲國家之后又一獲得該項專(zhuān)利的國家。此外，相關(guān)專(zhuān)利的申請工作在其他國家及地區也預期順利。ZyALD?及其它類(lèi)似分子應用于高介電常數沉積鍍膜，該工藝目前已在全球范圍內獲得11項專(zhuān)利，另有13項專(zhuān)利正在申請中。

　　ZyALD?(三(二甲胺基)環(huán)戊二烯鋯)是上述已獲專(zhuān)利的系列分子中一種重要的鋯前驅體(功能分子)。該分子能夠在半導體制造工藝中，實(shí)現高溫條件下原子層沉積方法(ALD)沉積鋯基介電層。ZyALD?于2006年首次引入工業(yè)應用，目前已成為世界范圍內用于生產(chǎn)動(dòng)態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)的主流高介電常數前驅體，替代了在高溫環(huán)境下無(wú)法實(shí)現相應功能的傳統分子。ZyALD?也可應用于后道工藝“金屬-絕緣體-金屬”結構(BEOL MIM Structure)以及嵌入式動(dòng)態(tài)隨機存取存儲器(e-DRAM)中的高介電常數層。

　　憑借優(yōu)異的物理化學(xué)屬性以及較高的揮發(fā)性、熱穩定性和沉積速率，ZyALD?已成為簡(jiǎn)便易用的替代產(chǎn)品，并且通過(guò)拓展制造工藝的工藝平臺，幫助終端用戶(hù)實(shí)現從傳統化學(xué)品到ZyALD?的完美過(guò)渡。

　　ZyALD由液化空氣集團的ALOHA?制造中心生產(chǎn)，工廠(chǎng)分別位于美國加州、法國沙隆以及日本筑波，為全球大客戶(hù)基地提供服務(wù)。面臨尖端半導體制造工藝的挑戰，ALOHA?產(chǎn)品線(xiàn)的各種前驅體提升了微電子制造中膜材料的機電性能，并加速了各種新興應用。ALOHA?產(chǎn)品線(xiàn)可為45納米及以下的器件制造提供所需的尖端CVD和ALD前驅體，涵蓋從噸級別的硅前驅體和高介電常數材料到克級別的實(shí)驗研發(fā)產(chǎn)品的需求。ALOHA?前驅體優(yōu)異的綜合實(shí)力包含超高純鋼瓶、由液化空氣集團BALAZS?世界級分析技術(shù)所支持的極其嚴格的技術(shù)標準、以及授權客戶(hù)使用液空前驅體相關(guān)的知識產(chǎn)權。