Galaxy S IV傳聞大爆發(fā)：8核、無(wú)線(xiàn)充電、三防

　　北京時(shí)間1月19日，據國外媒體報道，科技屆對三星Galaxy S IV的消息傳得沸沸揚揚。最新的消息稱(chēng)這款手機將搭載8核處理器Exynos 5 Octa，運行時(shí)鐘頻率可達1.8GHZ。

　　報道稱(chēng)，三星是否采用這款8核處理器尚不能下定論，畢竟Galaxy S III的四核處理器曾被替換為美國高通公司的Snapdragon雙核處理器，而Galaxy Note 2卻保留了Exynos處理器，所以任何事情都有可能發(fā)生。

　　當然毋容置疑的一點(diǎn)是，Galaxy S IV必將驚喜多多，歡樂(lè )無(wú)限。首先，有媒體在美國消費電子展發(fā)現了三星的品牌發(fā)展路標，上面顯示一個(gè)5英寸屏幕、像素密度達440ppi的設備將在2013年上半年發(fā)布。一位不愿透露姓名的三星高管稱(chēng)，Galaxy S IV將會(huì )在2月份的移動(dòng)世界大會(huì )上推出，并于3月份全球發(fā)布。這與上述媒體的報道不謀而合。

　　另有傳聞稱(chēng)Galaxy S IV將配置2GB內存、一個(gè)1300萬(wàn)像素的后置攝像機、一個(gè)200萬(wàn)像素的前置攝像機。更有媒體稱(chēng)，Galaxy S IV還支持無(wú)線(xiàn)充電功能。韓國媒體甚至爆料說(shuō)，也許是受索尼旗艦機型的三防功能的啟發(fā)，三星也準備給Galaxy S IV配備三防性能。三星為Galaxy S IV配置與索尼Xperia Z相同的IP55/IP57防水防塵功能，可以保證該機在一米深的水下仍可使用近半小時(shí)。同時(shí)，三星還將針對大屏手機跌落后屏幕易碎情況，為Galaxy S IV屏幕加入額外防護措施，將用戶(hù)的使用風(fēng)險進(jìn)一步降低。