英飛凌成功推出推出第五代650V thinQ!TM SiC 肖特基勢壘二極管

 　　2012年10月10日，德國紐必堡訊——英飛凌近日宣布推出第五代650V thinQ!TM SiC 肖特基勢壘二極管，壯大其SiC(碳化硅)產(chǎn)品陣容。

　　英飛凌榮獲專(zhuān)利的擴散焊接工藝早已應用于第三代產(chǎn)品，如今又成功地與更緊湊的全新設計和最新的薄晶圓技術(shù)有機結合在一起，改進(jìn)了熱特性，并使一個(gè)優(yōu)值系數(Qc x Vf)與英飛凌前代SiC二極管相比降低了大約30%。其結果是，新一代產(chǎn)品相對于英飛凌以往各代thinQ!TM 產(chǎn)品， PFC升壓級在所有負載條件下的效率都得到了進(jìn)一步的提升。英飛凌第五代產(chǎn)品的目標應用是高端服務(wù)器和電信SMPS(開(kāi)關(guān)模式電源)、PC銀盒和照明應用、太陽(yáng)能逆變器和UPS(不間斷電源)系統等。通過(guò)利用新一代器件，這些應用不但可以提高能效，而且還可以降低EMI(電磁干擾)，提高系統可靠性，以及縮減成本/尺寸——因制冷要求降低。

　　“自2001年首度推出SiC肖特基二極管以來(lái)，英飛凌大幅改進(jìn)了其產(chǎn)品，并不斷壯大其產(chǎn)品陣容。SiC二極管是與眾不同的產(chǎn)品，能引領(lǐng)綠色能源未來(lái)。”英飛凌科技股份公司高壓功率轉換產(chǎn)品部負責人Jan-Willem Reynaerts指出，“第五代SiC二極管相對于以往推出的各代產(chǎn)品，可進(jìn)一步改進(jìn)系統能效和功率密度，同時(shí)具有極具吸引力的性?xún)r(jià)比。”

　　第三代產(chǎn)品的低容性電荷(Qc)值與第二代產(chǎn)品的正向電壓(Vf)水平相結合，使第五代產(chǎn)品的PFC電路達到最高效率水平。這種新一代器件具備更高的擊穿電壓：650V(第二代和第三代為600V)，完美匹配最新的CoolMOSTM技術(shù)。對于太陽(yáng)能逆變器等應用以及具有挑戰性的SMPS環(huán)境而言，這種特性可實(shí)現更高的安全裕度。此外，第五代產(chǎn)品還具備高浪涌電流耐受性和更豐富的型號——包括具備更高額定電流和采用全新封裝(如TO-247 和ThinPAK)的產(chǎn)品。