學(xué)會(huì )模擬電路基礎，高分妥妥滴~~~

　　導讀：本文主要介紹半導體二極管及基本電路,這是學(xué)好模擬電路的關(guān)鍵所在，希望這些對親們有所幫助哦!!!!

一. 模擬電路基礎--半導體的基本知識

　　根據物體導電能力(電阻率)的不同，劃分為導體、絕緣體和半導體。典型的半導體有硅Si和鍺Ge以及砷化鎵GaAs等。

　　半導體的共價(jià)鍵結構

　　硅和鍺是四價(jià)元素，在原子最外層軌道上的四個(gè)電子稱(chēng)為價(jià)電子。它們分別與周?chē)乃膫€(gè)原子的價(jià)電子形成共價(jià)鍵。原子按一定規律整齊排列，形成晶體點(diǎn)陣后，結構圖為:

　　本征半導體、空穴及其導電作用

　　本征半導體----完全純凈的、結構完整的半導體晶體。

　　當T=0K和無(wú)外界激發(fā)時(shí)，導體中沒(méi)有載流子，不導電。當溫度升高或受到光的照射時(shí)，價(jià)電子能量越高，有的價(jià)電子可以?huà)昝撛雍说氖`，而參與導電，成為自由電子，這個(gè)過(guò)程就叫做本征激發(fā)。

　　自由電子產(chǎn)生的同時(shí)，在其原來(lái)的共價(jià)鍵中就出現了一個(gè)空位，這個(gè)空位為空穴。因熱激發(fā)而出現的自由電子和空穴是同時(shí)成對出現的，稱(chēng)為電子空穴對。

　　N型半導體(電子型半導體)

　　在本征半導體中摻入五價(jià)的元素(磷、砷、銻)

　　P型半導體(空穴型半導體)

　　在本征半導體中摻入三價(jià)的元素(硼)

二. 模擬電路基礎--PN結的形成及特性

　　PN結的形成

　　在一塊本征半導體兩側通過(guò)擴散不同的雜質(zhì)，分別形成N型半導體和P型半導體。PN結的形成過(guò)程為

　　PN結的單向導電性

　　PN結的單向導電性就是指PN結正向電阻小，反向電阻大。

　　(1)PN結加正向電壓

　　外加的正向電壓，方向與PN結內電場(chǎng)方向相反，削弱了內電場(chǎng)。于是，內電場(chǎng)對多子擴散運動(dòng)的阻礙減弱，擴散電流加大。擴散電流遠大于漂移電流，可忽略漂移電流的影響，PN結呈現低阻型。

　　(2)PN結加反向電壓

　　外加的反向電壓，方向與PN結內電場(chǎng)方向相同，加強了內電場(chǎng)。于是，內電場(chǎng)對多子擴散運動(dòng)的阻礙增強，擴散電流大大減小。此時(shí)漂移電流大于擴散電流，可忽略擴散電流，PN結呈現高阻型。

三. 模擬電路基礎--半導體二極管

　　二極管：一個(gè)PN結就是一個(gè)二極管。

　　電路符號：

　　半導體二極管的伏安特性曲線(xiàn)

　　(1)正向特性曲線(xiàn)

　　正向區分為兩段：

　　當0

　　當V>Vth時(shí)，開(kāi)始出現正向電流，并按指數規律增長(cháng)。

　　(2)反向特性曲線(xiàn)

　　反向區也有兩個(gè)區域：

　　當VBR

　　當V>VBR時(shí)，反向電流急劇增加，VBR稱(chēng)為反向擊穿電壓。

　　(3)反向擊穿特性

　　硅二極管的反向擊穿特性比較硬、比較陡、反向飽和電流也很小;鍺二極管的反向擊穿特性比較軟，過(guò)渡比較圓滑，反向飽和電流較大。

　　若|VBR|>7Vs時(shí)，主要是雪崩擊穿;若|VBR|<4V時(shí)，則主要是齊納擊穿。

四. 模擬電路基礎--二極管基本電路分析

　　1.理想模型

　　正向偏置時(shí)：管壓降為0，電阻也為0.

　　反向偏置時(shí)：電流為0，電阻為無(wú)窮大。

　　2.恒壓降模型

　　當ID>1mA時(shí)，VD=0.7V。

　　3.折線(xiàn)模型(實(shí)際模型)

　　以上就是小編為大家介紹的模擬電路的基礎知識了，如果您想深入學(xué)習模擬電路的知識的話(huà)，請您參考一下幾篇文章

　　1.二極管工作原理

　　2.場(chǎng)效應管工作原理- -場(chǎng)效應管工作原理也瘋狂

　　3. 模擬集成電路走上復蘇路