瑞薩電子推出新款超級結MOSFET

　　瑞薩電子公司 (TSE: 6723)，高級半導體解決方案的主要供應商，日前宣布推出三款新型超級結金屬氧化物場(chǎng)效應三極管(超級結MOSFET)，具有如下的特點(diǎn)：600V功率半導體器件中的導通電阻X柵極電荷，適用于高速電機驅動(dòng)、DC-DC轉換器和DC-AC逆變器應用。這一行業(yè)領(lǐng)先的低導通電阻和低柵極電壓的組合平臺，同時(shí)結合了快速體二極管的性能，使新型RJL60S5DPP、RJL60S5DPK和RJL60S5DPE這三款器件有助于提高家用電器電機驅動(dòng)的效率，如空調等采用帶逆變控制的高速電機的家電?！　?/p>本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/134458.htm

　　近年來(lái)，對于環(huán)保的日益重視使人們不斷致力于提高電子設備的能源效率并減少能源消耗。特別是對于空調和電視等家用電器中的電源電路，更加強調要降低能耗并提高效率。這就催生了對于降低這些產(chǎn)品中，功率器件功耗的需求(這是更低導通電阻和更好的開(kāi)關(guān)特性的功能)，從而提高整體的能源使用效率。

　　過(guò)去，采用高壓、高速電機和逆變器的空調和其它家用電器，一般會(huì )在一個(gè)封裝中采用帶分立式快恢復二極管(FRD)的IGBT，以實(shí)現短的反向恢復時(shí)間(trr)。目前，對于更加高速開(kāi)關(guān)的需求，以及在穩態(tài)運行和高性能狀態(tài)下的更低功耗需求，產(chǎn)生了對于帶快速恢復體二極管特性的超級結MOSFET的需求。與傳統的平面架構不同，超級結MOSFET在不降低器件耐壓能力的情況下，降低了導通電阻，使其可以產(chǎn)生具有每單位面積更低的導通電阻。隨著(zhù)行業(yè)向著(zhù)更加節能的方向發(fā)展，為了滿(mǎn)足對于這些器件日益增長(cháng)的需求，瑞薩公司利用其在功率器件技術(shù)方面積累的豐富經(jīng)驗，新開(kāi)發(fā)了一系列采用高速體二極管的高性能超級結MOSFET，實(shí)現了低功耗，并提升了高速開(kāi)關(guān)性能。

　　新款超級結MOSFET的主要特性：

　　(1) 業(yè)界領(lǐng)先的低導通電阻
　　憑借從早期為PC服務(wù)器和LCD TV等應用所設計的超級結MOSFET器件中積累的經(jīng)驗，瑞薩已經(jīng)在具有低柵極電壓的600V功率半導體器件上實(shí)現了150 mΩ(典型值)的導通電阻。這就為采用高速電機和逆變控制的家用電器等應用實(shí)現了電源效率的改善。

　　(2)更短的反向恢復時(shí)間
　　新款超級結MOSFET器件具有內置的快速體二極管，其規格優(yōu)化用于高速電機控制應用。二極管的反向恢復時(shí)間顯著(zhù)縮短，僅為150ns，約為現有類(lèi)似功率超級結MOSFET器件中二極管的三分之一。

　　(3)高速開(kāi)關(guān)性能，顯著(zhù)降低鳴響等副作用
　　瑞薩通過(guò)優(yōu)化表面結構，改進(jìn)了漏柵電容，從而最大限度地減少鳴響，同時(shí)還保證了高速的開(kāi)關(guān)性能。這一改進(jìn)有助于降低功耗和穩定操作，特別適用于三相橋式電路，廣泛用于高速電機和逆變器控制應用中。

　　瑞薩通過(guò)提供總的信號鏈解決方案持續為客戶(hù)提供技術(shù)支持，方案將微控制器(MCU)與模擬和功率器件相結合，并希望增加其作為功率半導體器件全球領(lǐng)先供應商的地位。瑞薩考慮將這一新的高精度超級結MOSET器件系列作為其高壓功率器件陣列的核心，旨在進(jìn)一步增強其產(chǎn)品系列。瑞薩還將針對電機和反極器應用擴大其配套解決方案的范圍，將新的超級結MOSFET器件與瑞薩RL78系列低功率MCU，RX系列中檔MCU、以及用以驅動(dòng)功率半導體器件的光耦相結合。整合了新型超級結MOSFET器件的參考開(kāi)發(fā)板也計劃推出，從而為客戶(hù)提供配套評估和產(chǎn)品設計方面的支持。

　　超級結MOSFET器件的外形可采用相當于下列工業(yè)標準封裝：TO-220FP (RJL60S5DPP), TO-3P (RJL60S5DPK)和LDPAK (RJL60S5DPE)

　　價(jià)格和供貨情況

　　瑞薩電子新款RJL60S5DPP、RJL60S5DPK和RJL60S5DPE SJ- MOSFET將于2012年9月推出，價(jià)格為每片US$2.0。量產(chǎn)計劃于2012年12月進(jìn)行，到2013年3月三種產(chǎn)品的月產(chǎn)量總額將達到500,000片。(價(jià)格和供貨情況如有變化，恕不另行通知。)

　　請參考附表，了新產(chǎn)品的主要技術(shù)規格。

　　附表

　　新型超級結MOSFET的產(chǎn)品規格

• 所有產(chǎn)品版本共有的項目

　　■ 額定通道溫度 (Tch): +150°C
　　■ 額定漏極電壓 (VDSS): 600 V
　　■ 額定的柵極源電壓(VGSS): ±30 V
　　■ 額定的漏電流(ID): 20 A at Tc = 25 C
　　■ 導通電阻 (RDS(on))，典型值: 150 mΩ (當 ID = 10 A, VGS = 10 V時(shí))
　　■ 反向傳輸電容 (Crss)，典型值: 13 pF (VDS = 25 V)
　　■ 柵極源闕值電壓 (VGS (OFF)): Min. 3 V 至最大 5 V
　　■ 體二極管FRD 前向電壓(VF): 0.96 V (當 IF = 10 A時(shí))
　　■ 體二極管FRD 反向恢復時(shí)間(trr): 150 ns (當ID = 20 A時(shí))

• 封裝

　　■ RJL60S5DPP-E0: TO-220FP
　　■ RJL60S5DPK-M0: TO-3PSG
　　■ RJL60S5DPE-00: LDPAK