瑞薩完成對Transphorm的收購

全球半導體解決方案供應商瑞薩電子（以下“瑞薩”）近日宣布，已于2024年6月20日完成對氮化鎵（GaN）功率半導體全球供應商Transphorm, Inc.（以下“Transphorm”）的收購。隨著(zhù)收購的完成，瑞薩電子將立即開(kāi)始提供基于GaN的功率產(chǎn)品和相關(guān)參考設計，以滿(mǎn)足對寬禁帶（WBG）半導體產(chǎn)品日益增長(cháng)的需求。

與傳統的硅基器件相比，GaN和碳化硅（SiC）等WBG材料具有出色的功率效率、更高的開(kāi)關(guān)頻率和較小的占用空間，因此被視為下一代功率半導體的關(guān)鍵技術(shù)。受電動(dòng)汽車(chē)（EV）、變頻器、數據中心服務(wù)器、人工智能（AI）、可再生能源、工業(yè)電源轉換和消費應用等需求的推動(dòng)，GaN和SiC產(chǎn)品預計在未來(lái)十年內都將快速增長(cháng)。

Chris Allexandre, Senior Vice President and General Manager of Power at Renesas表示：“通過(guò)集成兩家公司技術(shù)的交鑰匙參考設計，客戶(hù)可以立即從新的GaN產(chǎn)品中受益。將GaN添加到我們的產(chǎn)品陣容中也加強了我們致力于開(kāi)發(fā)讓人們的生活更輕松的產(chǎn)品和技術(shù)的承諾。提供強大且可持續的電源解決方案，節省能源、降低成本并最大限度地減少對環(huán)境的影響，正是我們實(shí)現這一目標的途徑?！?/p>

投資電源業(yè)務(wù)是瑞薩實(shí)現可持續長(cháng)期增長(cháng)戰略的重要組成部分。瑞薩近期為鞏固這一細分市場(chǎng)而采取的其他舉措包括：開(kāi)設專(zhuān)門(mén)生產(chǎn)電源產(chǎn)品的300mm晶圓廠(chǎng)甲府工廠(chǎng)；在高崎工廠(chǎng)增加一條新的SiC生產(chǎn)線(xiàn)；并與Wolfspeed達成協(xié)議，確保未來(lái)10年SiC晶圓的穩定供應。隨著(zhù)GaN技術(shù)現已成為瑞薩產(chǎn)品陣容的一部分，瑞薩準備提供更全面的電源解決方案，以滿(mǎn)足廣泛應用領(lǐng)域客戶(hù)不斷變化的需求。

在完成收購Transphorm的同一天，瑞薩推出了15款全新成功產(chǎn)品組合，這些可立即投入市場(chǎng)的參考設計將新的GaN產(chǎn)品與瑞薩的嵌入式處理、電源、連接和模擬產(chǎn)品相結合。其中包括將Transphorm的汽車(chē)級GaN技術(shù)，用于車(chē)載電池充電器以及電動(dòng)汽車(chē)的三合一動(dòng)力系統解決方案。

Transphorm成立于2007年，總部位于美國加利福尼亞州戈利塔，源自加州大學(xué)圣巴巴拉分校和寬緊帶行業(yè)，以獨特的技術(shù)創(chuàng )新為基礎。Transphorm是GaN半導體領(lǐng)域的創(chuàng )新者，設計、制造和銷(xiāo)售高性能、高可靠性的GaN電源產(chǎn)品，廣泛適用于各種高壓電源轉換應用。