美國SIA公布半導體未來(lái)藍圖

　    美國半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì )(SIA)日前發(fā)表2011國際半導體科技藍圖(International Technology Roadmap for Semiconductors;ITRS)，其中詳細提出各種短期及長(cháng)期發(fā)展趨勢，一路規劃出半導體產(chǎn)業(yè)至2026年的發(fā)展。

　　美國半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì )此次公布的藍圖，首先在2011年12月14日發(fā)表于南韓，制作過(guò)程中美國、歐洲、日本、南韓、臺灣等5個(gè)區域的晶圓廠(chǎng)、研究機構等均有貢獻。據該協(xié)會(huì )會(huì )長(cháng)Brian Toohey指出，制作藍圖的團隊希望借由預先提出可能會(huì )遇到的關(guān)鍵技術(shù)難關(guān)及可能解決方式，以令各界有更多時(shí)間進(jìn)行研究。

　　在規劃如此藍圖時(shí)，困難之處在于如何追隨摩爾定律，持續微縮半導體制程，但在此同時(shí)又提高效能以符合市場(chǎng)需求，其中諸如記憶體、微機電系統(MEMS)、感應器、3D晶片等議題都包括在內。

　　美國半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì )指出，在各種領(lǐng)域之中，DRAM的發(fā)展尤其快速，這樣一來(lái)也同時(shí)可望帶來(lái)高效能伺服器、游戲主機用顯示卡等新技術(shù)。

　　在藍圖中，快閃記憶體因用于目前在市場(chǎng)上如數位相機、平板電腦、手機等熱門(mén)可攜式產(chǎn)品上，因而受到特別矚目。根據預測，快閃記憶體將可在未來(lái)數年快速發(fā)展，而2016年可望被采用的3! D技術(shù)，更將令記憶體容量大幅增加。