飛兆半導體鋰離子電池組保護設計解決方案

　　便攜產(chǎn)品的設計人員通常在設計的每個(gè)階段都會(huì )面對減小空間和提高效率的挑戰。在超便攜應用等使用單節鋰離子電池的產(chǎn)品中，這是一個(gè)特別重要的問(wèn)題。

　　為了幫助設計人員應對減小設計空間和提高效率的挑戰，全球領(lǐng)先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應商飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 開(kāi)發(fā)出PowerTrench MOSFET器件FDMB2307NZ。該器件具有能夠大幅減小設計的外形尺寸，并提供了所需的高效率。

　　FDMB2307NZ專(zhuān)門(mén)針對鋰離子電池組保護電路和其它超便攜應用而設計，具有N溝道共漏極MOSFET特性，能夠實(shí)現電流的雙向流動(dòng)。

　　FDMB2307NZ采用先進(jìn)的PowerTrench工藝，具有高功率密度，并在VGS = 4.5V, ID = 8A條件下具有最大16.5m?的Rss(on)，從而獲得更低的導通損耗、電壓降和功率損耗，并且相比競爭解決方案，具有更高的總體設計效率。FDMB2307NZ還具有出色的熱性能，使得系統工作溫度更低，進(jìn)一步提高了效率。

　　新器件采用2x3mm2MicroFET™封裝，為設計人員帶來(lái)了現有最小的MLP解決方案之一，相比目前常見(jiàn)的解決方案減小40%，顯著(zhù)節省了客戶(hù)設計的線(xiàn)路板空間。FDMB2307NZ滿(mǎn)足RoHS要求，而且具有>2kV的HBM ESD防護功能。

　　飛兆半導體通過(guò)將先進(jìn)的電路技術(shù)集成在微型高級封裝中，為便攜產(chǎn)品用戶(hù)提供了重要的優(yōu)勢，同時(shí)能夠減小設計的尺寸、成本和功率。飛兆半導體的便攜IP業(yè)已用于現今大部分手機中。