本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/126732.htm
圖2. 576k SRAM良率
總結與未來(lái)計劃
DDC晶體管的工藝流程已經(jīng)成功建立。所制造的DDC晶體管顯示VT波動(dòng)比基準流程改善了50%,并且產(chǎn)出在0.425V電壓下仍能運作的SRAM,充分證明了DDC晶體管有能力將供應電壓降低到0.4V左右。
富士通半導體將發(fā)展這項技術(shù)并積極回應客戶(hù)在消費電子產(chǎn)品,移動(dòng)設備及其他領(lǐng)域對于低功耗/低電壓運行的要求。
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