三星與美光結盟推動(dòng)新一代內存規格

　　三星電子(Samsung Electronics)與美光(Micron)近日宣布成立「混合內存立方體」(Hybrid Memory Cube，HMC)協(xié)會(huì )，以用來(lái)開(kāi)發(fā)與部署此一新一代HMC內存技術(shù)的開(kāi)放接口規格。

　　根據雙方的聲明，成立該協(xié)會(huì )的關(guān)鍵因素，也是目前產(chǎn)業(yè)所面臨的主要挑戰之一，即為高效能計算機與新一代的網(wǎng)絡(luò )設備對內存帶寬的需求已超出傳統內存架構的能力，此一現象稱(chēng)為「內存墻」(memory wall)，因此需要有一可強化密度與帶寬、同時(shí)能降低電力損耗的新架構來(lái)突破此一困境。

　　所謂的混合內存立方體是以堆棧內存芯片組態(tài)構成微型化的立方體，一個(gè)HMC的效能為DDR3模塊的15倍，每位所使用的電力只有DDR3的30%，由于HMC的密度增加，且外型變小，所使用的空間只有現今Registered DIMM內存模塊的10%，使得每臺機器將可容納更多的內存。

　　該協(xié)會(huì )指出，HMC的能力超越傳統的DRAM，并建立一個(gè)可跟上CPU與GPU進(jìn)展的新內存標準，應用范圍涵蓋高效能運算至消費者技術(shù)。

　　美光DRAM營(yíng)銷(xiāo)副總裁Robert Feurle表示，HMC把內存能力提升到一個(gè)新境界，所帶來(lái)的效能與效率將重新定義內存的未來(lái)，該協(xié)會(huì )將盡其所能加速該技術(shù)的采用，以徹底改善運算系統。

　　主導HMC開(kāi)發(fā)的除了三星與美光外，英特爾也曾于今年9月公布與美光合作的HMC概念性技術(shù)。HMC的最終規格將由該協(xié)會(huì )的成員共同擬定，目前已加入該協(xié)會(huì )的組織包括Altera、OpenSilicon及Xilinx等。HMC協(xié)會(huì )并建議業(yè)者從現有的DDR內存架構直接轉移至HMC。