海力士2Q營(yíng)收26億美元

　　韓半導體大廠(chǎng)海力士(Hynix)21日上午發(fā)布2011年第2季財報。海力士第2季營(yíng)收2.76兆韓元(約26.15億美元)，營(yíng)業(yè)利益4,470億韓元(約4.24億美元)，與2010年同期相比營(yíng)收減少16%、營(yíng)業(yè)利益減少56%，然與2011年第1季相比，雖然營(yíng)收減少1%，但營(yíng)業(yè)利益則增加了38%。

　　海力士表示，以美元計算的營(yíng)收較第1季增加，然因匯率問(wèn)題而出現較第1季減少的情況。

　　海力士表示，第2季初雖然面臨淡季，但日本發(fā)生震災后，各廠(chǎng)擔憂(yōu)日本供貨短缺，而使需求短暫攀升，然而需求未達到預期，第2季中后期營(yíng)收快速惡化等，市場(chǎng)變動(dòng)相當大。

　　實(shí)際上第2季DRAM及NANDFlash等平均銷(xiāo)售價(jià)格與第1季相比，DRAM減少1%、NAND則暴跌19%。出貨量方面，DRAM維持與第1季相同水平，NAND則增加約36%。

　　海力士相關(guān)人員表示，下半年將進(jìn)入旺季，但因歐洲財政危機及全球景氣恢復趨勢鈍化，整體經(jīng)濟仍存在許多不透明的情況。海力士將會(huì )致力于微細制程轉換及架構良好的產(chǎn)品收益結構，持續擴大與他廠(chǎng)競爭力的差距。

　　對于微細制程，海力士透露，2011年第1季投入生產(chǎn)的30納米等級DRAM比重至年底將擴大至40%。而第2季末比重約占70%的行動(dòng)裝置、繪圖、服務(wù)器用DRAM等高附加價(jià)值產(chǎn)品，也將持續維持其比例。

　　海力士將加快NANDFlash轉換微細制程的速度，第2季末占比重約50%的20納米等級產(chǎn)品，年底將擴大至約70%，次世代20奈米產(chǎn)品也計劃于2011年下半投入量產(chǎn)。

　　海力士與日廠(chǎng)東芝(Toshiba)為確保在次世代存儲器市場(chǎng)的主導權，合作研發(fā)STT-MRAM等，正持續為未來(lái)的競爭力做準備。