富士通體推出基于0.18 μm 技術(shù)的全新SPI FRAM

        富士通半導體（上海）有限公司今日宣布推出基于0.18 µm 技術(shù)的全新 SPI FRAM產(chǎn)品家族，包括MB85RS256A、MB85RS128A和MB85RS64A這3個(gè)型號，并從即日起開(kāi)始為客戶(hù)提供樣片。

        FRAM （Ferroelectric Random Access Memory 鐵電隨機存儲器）將SRAM 的快寫(xiě)與閃存的非易失性?xún)?yōu)勢集中在一塊芯片上。全新的SPI FRAM家族MB85RSxxx包括3個(gè)型號：MB85RS256A、MB85RS128A和MB85RS64A，分別代表256Kbit、128Kbit和64Kbit三個(gè)密度級。3個(gè)芯片的工作電壓范圍在3.0 ～ 3.6V，讀寫(xiě)周期為100億次，數據保存在55°C的條件下可達10年，且其工作頻率大幅提高到最大25MHz。由于FRAM產(chǎn)品在寫(xiě)處理時(shí)無(wú)需電壓增壓器，非常適合低功率應用。該產(chǎn)品提供具有標準存儲器引腳配置的8引腳封裝，完全兼容E2PROM芯片。

SPI FRAM產(chǎn)品陣容

        FRAM獨立存儲芯片可廣泛用于計量、工廠(chǎng)自動(dòng)化應用以及需要數據采集、高速寫(xiě)入和耐久性的行業(yè)。對客戶(hù)來(lái)說(shuō)，FRAM不僅可以取代所有使用電池支持的解決方案，同時(shí)也是一款綠色環(huán)保的產(chǎn)品。除 SPI FRAM家族之外，富士通半導體還提供帶I²C和并行口的FRAM獨立芯片，密度級從16Kbit到4Mbit不等。此外，富士通還計劃進(jìn)一步擴展FRAM組合以滿(mǎn)足市場(chǎng)需求。憑借領(lǐng)先的技術(shù)開(kāi)發(fā)和完善的制造工藝，富士通半導體不斷優(yōu)化產(chǎn)品設計，并加強與工廠(chǎng)間的密切合作，為向市場(chǎng)穩定地提供高質(zhì)量產(chǎn)品打下了基礎。