三星、東芝NAND Flash市占差距縮減至0.3%

　　據韓國媒體報導，2011年第1季NAND Flash市場(chǎng)上，日廠(chǎng)東芝(Toshiba)猛力追擊，以市占率0.3%差距，威脅三星電子(Samsung Electronics) 8年來(lái)業(yè)界第1的地位。然而在快速成長(cháng)的行動(dòng)DRAM市場(chǎng)上，三星仍坐擁壓倒性的市占率。

　　外電引用市場(chǎng)調查機構iSuppli統計指出，第1季NAND Flash市場(chǎng)上，三星營(yíng)收為19.12億美元，以市占率35.9%排名業(yè)界第1。排名第2的東芝同時(shí)期營(yíng)收為18.95億美元，市占率35.6%，僅相差3個(gè)百分點(diǎn)。

　　2010 年第4季東芝營(yíng)收為16.64億美元，較2010年第3季增加13.9%;三星同期間則增加11.4%。外電指出，比較2011年第1季和2010年第1 季時(shí)，東之營(yíng)收增加28.5%，然三星卻僅增加13.8%，使2010年第1季仍有1.1%的市占率差距縮減至0.3%。

　　NAND Flash市場(chǎng)上排名第3的美光(Micron)營(yíng)收為5.91億美元，市占率為11.1%。排名第4的企業(yè)為海力士半導體(Hynix)，營(yíng)收及市占率各為5.63億美元和10.6%。

　　外電指出，三星在NAND Flash市場(chǎng)上維持了8年以上的冠軍地位，未來(lái)將要付出更多的努力恢復其市占率。然預估第2季三星和東芝將會(huì )為爭奪業(yè)界第1的地位而展開(kāi)激烈競爭。另外，第1季的調查數據中仍未反應出日本大地震帶來(lái)的影響，至第3季初為止，可能都不會(huì )有明顯的影響。

　　另一方面，外電也指出，三星在行動(dòng)DRAM市場(chǎng)的表現不同于快閃存儲器市場(chǎng)，2011年第1季以營(yíng)收11億美元、市占率48.2%穩坐第1名地位。三星市占率比排名第2的海力士和排名第3的爾必達(Elpida)合計市占率46.7%還高，居領(lǐng)導地位。

　　以年度營(yíng)收成績(jì)來(lái)看，三星營(yíng)收成長(cháng)126%、海力士為173%、爾必達則是607%，行動(dòng)DRAM正呈現爆炸性的成長(cháng)。