美光RLDRAM 3打入阿爾卡特朗訊供應鏈

　　美系存儲器大廠(chǎng)美光(Micron) 5月底才宣布，第3代低延遲RLDRAM 3(Reduced Latency DRAM)已開(kāi)始送樣，預計2011年下半可進(jìn)入量產(chǎn)，日前正式宣布打入阿爾卡特朗訊下世代網(wǎng)通產(chǎn)品供應鏈，阿爾卡特朗訊將藉由美光第3代低延遲 RLDRAM 3存儲器芯片，支持業(yè)界第1個(gè)400 Gb芯片組。

　　第3代低延遲RLDRAM 3主要是針對網(wǎng)絡(luò )通訊客戶(hù)所設計，因應全球網(wǎng)絡(luò )通訊需求升溫，為讓網(wǎng)絡(luò )基礎設備有更多資料傳輸且加速傳輸的效率，第3代低延遲RLDRAM 3應運而生。

　　美光在2010年中時(shí)，就開(kāi)始準備第3代低延遲RLDRAM 3，5月底宣布正式開(kāi)始送樣給客戶(hù)，并準備在下半年進(jìn)入量產(chǎn)階段。

　　美光日前也宣布，第3代低延遲RLDRAM 3正式獲得阿爾卡特朗訊采用，將用于下世代網(wǎng)通產(chǎn)品，阿爾卡特朗訊將藉由美光第3代低延遲RLDRAM 3存儲器芯片，支持業(yè)界第1個(gè)400 Gb芯片組。

　　美光第3代低延遲RLDRAM 3存儲器芯片優(yōu)勢在于，網(wǎng)絡(luò )的傳輸快速且效率更高達76.8 Gb/s，最低延遲時(shí)間為10ns(nanosecond)，這些特色都有助于網(wǎng)通領(lǐng)域客戶(hù)的需求。

　　相較于第2代產(chǎn)品，美光第3代低延遲RLDRAM 3存儲器芯片在傳輸速度、存儲器容量、延遲性、耗電量等方面也都有改善，預計將于2011年下半開(kāi)始，生產(chǎn)第3代低延遲RLDRAM 3。

　　美光預計，隨著(zhù)第3代低延遲RLDRAM 3不斷的改善和提升效能，將更符合網(wǎng)通客戶(hù)對于傳輸數據量、優(yōu)化網(wǎng)絡(luò )技術(shù)、處理復雜基礎建設、降低延遲率上的需求。

　　美光日前才公布2011會(huì )計年度第3季(2011年3~5月)財報，營(yíng)收和獲利都呈現衰退且低于市場(chǎng)預期，主要是筆記本電腦(NB)和桌上型計算機(DT) 需求都持續低迷所致，美光也致力轉移至其它應用領(lǐng)域上，除了上述網(wǎng)通產(chǎn)品外，還包括服務(wù)器、平板計算機、智能型手機等應用。

　　美光2011年第3季凈利為7,500萬(wàn)美元，每股盈余0.07美元，相較2010年同期凈利為9.39億美元，EPS達0.92美元，凈利衰退超過(guò)90%。而美光上季營(yíng)收21.4億美元，也較2010年同期減少了6.5%。