飛兆半導體功率級非對稱(chēng)雙MOSFET器件

        電源工程師一直面對減小應用空間和提高功率密度的兩個(gè)主要挑戰，而在筆記本電腦、負載點(diǎn)、服務(wù)器、游戲和電信應用中，上述兩點(diǎn)尤為重要。為了幫助設計人員應對這些挑戰，全球領(lǐng)先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應商飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)開(kāi)發(fā)出FDMS36xxS系列功率級非對稱(chēng)雙MOSFET模塊。

        FDMS36xxS系列器件在PQFN封裝中結合了控制和同步MOSFET，以及一個(gè)肖特基體二極管。這些器件的開(kāi)關(guān)節點(diǎn)已獲內部連接，能夠輕易進(jìn)行同步降壓轉換器的布局和走線(xiàn)?？刂?a class="contentlabel" href="http://dyxdggzs.com/news/listbylabel/label/MOSFET">MOSFET(Q1)和同步MOSFET(SyncFET™)(Q2)經(jīng)專(zhuān)門(mén)設計，為高達30A的輸出電流實(shí)現最佳功效。FDMS36xxS系列將上述器件集成在一個(gè)模塊中，可替代兩個(gè)或更多的5mm x 6mm PQFN、S08和DPAK封裝，有效減少線(xiàn)路板空間。

        FDMS36XXS系列產(chǎn)品采用飛兆半導體先進(jìn)的電荷平衡架構(屏蔽柵極技術(shù))和先進(jìn)封裝技術(shù)，可在高性能計算的額定擊穿電壓下，獲得低于2mΩ的業(yè)界領(lǐng)先低端RDS(ON) 。該系列產(chǎn)品經(jīng)過(guò)優(yōu)化，以便最大限度地減小300kHz至600KHz范圍的綜合傳導損耗和開(kāi)關(guān)損耗，為負載點(diǎn)和多相同步降壓DC-DC應用帶來(lái)可靠的最高功效。

        FDMS36xxS系列功率級非對稱(chēng)雙MOSFET使用獨特的屏蔽電壓調制架構和超低源極電感封裝設計，具有低開(kāi)關(guān)噪聲、低設計變化敏感度和較高的設計可靠性。低開(kāi)關(guān)噪聲可以省去需要外部緩沖器或柵極電阻的緩減設計，從而降低設計BOM成本并且節省額外的線(xiàn)路板空間。

        FDMS36xxS系列器件目前包括：FDMS3602S和FDMS3604AS PowerTrench®功率級非對稱(chēng)N溝道雙MOSFET。飛兆半導體將會(huì )根據研究和客戶(hù)需求增添更多的器件。兩款FDMS36xxS系列器件均滿(mǎn)足RoHS標準要求。

        這些非對稱(chēng)結構功率級雙MOSFET模塊是飛兆半導體全面廣泛的先進(jìn)MOSFET產(chǎn)品系列的組成部分，為電源設計人員提供了適用于關(guān)鍵任務(wù)的高效信息處理設計的全面解決方案。