海力士宣布下一代DDR4內存開(kāi)發(fā)完畢
—— 主要供給微型服務(wù)器
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三星電子搶先行動(dòng)整整三個(gè)月之后，另一家半導體大廠(chǎng)海力士(Hynix Semiconductor)今天也宣布下代DDR4內存顆粒、內存條開(kāi)發(fā)完畢。海力士已經(jīng)開(kāi)發(fā)出了容量2Gb(256MB)的DDR4 DRAM內存顆粒，以及容量2GB的DDR4 ECC SO-DIMM內存條，支持錯誤校驗功能，均采用先進(jìn)的30nm級別工藝制造，完全符合JEDEC組織制定的相關(guān)標準規范。
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/118368.htm海力士DDR4 DRAM內存顆粒的運行速度高達2400MHz，比目前主流的DDR3-1333快了整整80％，也比三星DDR4快了266MHz，同時(shí)運行電壓僅有1.2V，64-bit I/O接口下數據傳輸帶寬高達19.2GB/s。
海力士計劃2012年下半年開(kāi)始批量生產(chǎn)這種高性能DDR4內存，主要提供給微型服務(wù)器(micro server)市場(chǎng)，暫無(wú)消費級產(chǎn)品規劃。
市調機構iSuppli認為，DDR4 DRAM在整個(gè)內存市場(chǎng)上的份額2013年約為5％，2015年即可超過(guò)50％成為主流，同時(shí)DDR3 DRAM內存在2012年達到71％的份額高峰，2014年就會(huì )迅速滑落到49％。
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