英飛凌第35億顆高壓MOSFET順利下線(xiàn)

　　英飛凌位于奧地利菲拉赫工廠(chǎng)生產(chǎn)的第35億顆CoolMOS高壓MOSFET順利下線(xiàn)。這使英飛凌成為全球最成功的500V至900V晶體管供應商。通過(guò)不斷改進(jìn)芯片架構，使得CoolMOS晶體管技術(shù)不斷優(yōu)化，這為取得成功奠定了堅實(shí)基礎。

　　在晶體管問(wèn)世55年后，英飛凌于2002年憑借突破性的CoolMOS晶體管技術(shù)，喜獲“德國工業(yè)創(chuàng )新獎”。這種高壓功率晶體管提升了一系列產(chǎn)品的能效，例如PC電源、服務(wù)器、太陽(yáng)能逆變器、照明設備與通信電源設備等。而且這些節能晶體管如今還是各種消費類(lèi)電子產(chǎn)品的核心器件，例如平板電視和游戲機等。當前所有電力工業(yè)設備和家用電器的都將高能效和節能做為主要性能指標。采用英飛凌的高能效半導體解決方案可使全球節省25%的能耗。例如，通過(guò)選用CoolMOS產(chǎn)品，服務(wù)器電路板的功耗可減少約30W。全球服務(wù)器若按約6,000萬(wàn)臺計算，共計可節電18億瓦，這相當于一座核電站的發(fā)電量。

　　英飛凌副總裁兼電源管理與供應分立式器件業(yè)務(wù)總經(jīng)理Andreas Urschitz指出：“我們堅持不懈地提升CoolMOS晶體管技術(shù)，確保能效達到最優(yōu)，使客戶(hù)具備強有力的競爭優(yōu)勢。我們?yōu)閷?shí)現資源利用可持續利用做出了巨大的貢獻，此舉造福子孫后代。臺灣高雄足球場(chǎng)的太陽(yáng)能發(fā)電系統就是采用我們CoolMOS技術(shù)的很成功例子。太陽(yáng)能逆變器選用CoolMOS芯片，可確保最高的能效。該太陽(yáng)能發(fā)電站的年發(fā)電量可達110萬(wàn)千瓦小時(shí)，并年均減少約660噸的碳排放。”

　　代表最新技術(shù)的650V CoolMOSCFD2

　　英飛凌目前正推出另一項重要的創(chuàng )新型高壓CoolMOSMOSFET。這種全新的650V CoolMOSCFD2是全球首款具備650V漏源電壓并集成快速體二極管的高壓晶體管。較軟的換向性能帶來(lái)更出色的抗電磁干擾特性，從而使該器件競爭力首屈一指。CoolMOSCFD 2 650V產(chǎn)品具備快速開(kāi)關(guān)超結結構MOSFET的所有優(yōu)點(diǎn)，例如更高的輕載效率、更低的柵極電荷、方便的使用和出色的可靠性。英飛凌預計這種晶體管的最大潛在市場(chǎng)主要集中在太陽(yáng)能逆變器、電腦服務(wù)器、LED照明和通信設備等領(lǐng)域。

　　英飛凌的CoolMOS技術(shù)

　　革命性的CoolMOS功率晶體管系列在能效方面樹(shù)立了行業(yè)新標桿。作為高壓MOSFET技術(shù)的領(lǐng)導者，CoolMOS可大幅降低導通和開(kāi)關(guān)損耗，確保高端電源轉換系統實(shí)現高功率密度和高能效。針對應用專(zhuān)門(mén)優(yōu)化的CoolMOS™器件適用于消費類(lèi)產(chǎn)品、可再生能源、通信電源、適配器和其他產(chǎn)品。憑借其出類(lèi)拔萃的性?xún)r(jià)比，CoolMOS成為滿(mǎn)足目前不斷攀升的能源需求的理想之選。尤其是最新的，代表最高技術(shù)含量的高壓功率MOSFET使交流/直流電源系統更高效、更緊湊、更輕更涼。這種高壓MOSFET之所以取得這樣的成功，得益于其每種封裝上具備最低的通態(tài)電阻、最快的開(kāi)關(guān)速度和最低的柵極驅動(dòng)需求。