英飛凌擬改12寸晶圓量產(chǎn)

　　繼德州儀器(TI)積極導入12寸晶圓廠(chǎng)以擴大類(lèi)比市場(chǎng)占有率后，在電源晶片市場(chǎng)同樣舉足輕重的英飛凌(Infineon)也已悄悄啟動(dòng)12寸晶圓量產(chǎn)研發(fā)計畫(huà)，希望將電源晶片的生產(chǎn)由目前8寸廠(chǎng)升級至12寸廠(chǎng)，以因應市場(chǎng)持續高漲的節能需求，并鞏固既有市場(chǎng)地位。

　　臺灣英飛凌副總裁暨執行董事詹啟祥指出，超接面MOSFET將是未來(lái)功率半導體市場(chǎng)的主流。

　　臺灣英飛凌副總裁暨執行董事詹啟祥表示，該公司已在奧地利展開(kāi)12寸晶圓量產(chǎn)研發(fā)工作，主要將用于超接合(SuperJunction)技術(shù)的金屬氧化物半導體場(chǎng)效應電晶體(MOSFET)等功率半導體元件的生產(chǎn)，一旦相關(guān)發(fā)展成熟后，將可移植至馬來(lái)西亞的晶圓廠(chǎng)進(jìn)行量產(chǎn)。

　　由于超接面MOSFET可較傳統平面式(Planar)MOSFET在相同尺寸的裸晶(Die)上實(shí)現更低的導通電阻與切換損失，進(jìn)而提升每單位面積的功率密度，因此，在節能意識抬頭的市場(chǎng)環(huán)境中，重要性與日俱增，產(chǎn)品滲透率也節節攀升。

　　不過(guò)，與平面式MOSFET相比，目前超接面MOSFET產(chǎn)品價(jià)格仍偏高，所以英飛凌所推行的12寸晶圓量產(chǎn)計畫(huà)，將有助進(jìn)一步降低超接面MOSFET成本，為該市場(chǎng)的起飛預先作好準備。詹啟祥分析，盡管目前傳統平面式MOSFET的市場(chǎng)規模仍占大宗，但未來(lái)超接面MOSFET方案將會(huì )快速放量成長(cháng)，兩者將呈現明顯的消長(cháng)態(tài)勢。

　　位于奧地利菲拉赫(Villach)的英飛凌奧地利分公司，是英飛凌極為重要的研發(fā)和制造中心，規模僅次于德國總部與馬來(lái)西亞分公司，專(zhuān)精于應用在汽車(chē)和工業(yè)暨多重市場(chǎng)的能源效率方案開(kāi)發(fā)，并致力以低轉換損失的功率半導體實(shí)現系統的微型化和高能效發(fā)展;此外，感測器和非接觸式安全晶片亦是另一研發(fā)重點(diǎn)。

　　詹啟祥強調，歷經(jīng)有線(xiàn)與無(wú)線(xiàn)事業(yè)部門(mén)的切割后，現今的英飛凌已處于最佳的發(fā)展狀態(tài)，產(chǎn)品組合也更為聚焦，尤其是功率半導體、絕緣柵雙極電晶體(IGBT)及碳化矽(SiC)蕭特基二極體等方案，更是該公司最自豪的優(yōu)勢，對汽車(chē)和工業(yè)暨多重市場(chǎng)的拓展，將是莫大的助益。

　　據了解，，英飛凌于2010年會(huì )計年度的研發(fā)費用高達3億9,900萬(wàn)歐元，占總體營(yíng)收比重的25%，較2009年會(huì )計年度的1億9,500萬(wàn)歐元(占總營(yíng)收約22%)大幅攀升。