高通明年推28納米Snapdragon芯片產(chǎn)品

　　在日前召開(kāi)的2010高通中國合作伙伴大會(huì )上，高通CDMA技術(shù)集團產(chǎn)品發(fā)展高級副總裁克里斯蒂安諾·阿蒙介紹稱(chēng)，高通將在明年推下一代基于28納米規格的Snapdragon芯片系列產(chǎn)品，在芯片圖形處理能力方面將是目前Snapdragon芯片的4倍。

　　據阿蒙介紹，在明年推出的Snapdragon芯片中將出現全球首款多模3G/4G集成式芯片，在CPU方面采用新型微架構，將性能提升5倍以上。對于無(wú)線(xiàn)芯片而言性能只是芯片指標之一，然而功耗則是另一個(gè)重要指標，“明天推出的28納米的下一代Snapdragon芯片在功耗性能方面降低75%左右。”

　　阿蒙表示，Snapdragon在CPU和圖形處理方面均有很大提升，同時(shí)在功耗方面進(jìn)行有效控制，在無(wú)線(xiàn)芯片兩大要素方面均有大幅度提升。

　　目前，高通的Snapdragon芯片品牌已經(jīng)成為了行業(yè)的標桿，同時(shí)也開(kāi)創(chuàng )了無(wú)線(xiàn)芯片超于GHz主頻的門(mén)檻，有數據顯示，目前高通的合作伙伴已推出了55款基于Snapdragon芯片的終端，而在2010財年，高通公司MSM芯片總出貨量達到3.99億片，同比增長(cháng)26%。微架構，將性能提升5倍以上。對于無(wú)線(xiàn)芯片而言性能只是芯片指標之一，然而功耗則是另一個(gè)重要指標，“明天推出的28納米的下一代Snapdragon芯