IR 新型-30V P 溝道功率MOSFET 使設計更簡(jiǎn)單靈活

　　全球功率半導體和管理方案領(lǐng)導廠(chǎng)商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出新系列-30 V器件，采用 IR最新的SO-8封裝 P 溝道 MOSFET硅組件，適用于電池充電和放電開(kāi)關(guān)，以及直流應用的系統/負載開(kāi)關(guān)。新款 P 溝道器件的導通電阻 (RDS (on)) 為 4.6 m?至59 m?，可匹配廣泛的功率要求。P 溝道 MOSFET 無(wú)需使用電平轉換或充電泵電路，使其成為系統/負載開(kāi)關(guān)應用非常理想的解決方案。

　　IR 亞太區銷(xiāo)售副總裁潘大偉表示：“相比上一代產(chǎn)品，這個(gè)新型SO-8 P 溝道 MOSFET系列顯著(zhù)改善了電流處理能力，更為客戶(hù)提供廣泛的導通電阻選擇，以適應他們對溫度和成本的要求。同時(shí)，P 溝道技術(shù)也可以簡(jiǎn)化電路設計。”

　　P 溝道 MOSFET器件達到第一級潮濕敏感度 (MSL1) 標準，所采用的材料不含鉛，且符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規定 (RoHS)。