CCPAK1212封裝將再次提升Nexperia功率MOSFET的性能表現

Nexperia今日宣布推出16款新80 V和100 V功率MOSFET。這些產(chǎn)品均采用創(chuàng )新型銅夾片CCPAK1212封裝，具有業(yè)內領(lǐng)先的功率密度和優(yōu)越性能。創(chuàng )新型銅夾片設計能夠承載高電流、寄生電感更低且熱性能出色，因此這些器件非常適合電機控制、電源、可再生能源系統和其他耗電應用。該系列還包括專(zhuān)為AI服務(wù)器熱插拔功能設計的特定應用MOSFET (ASFET)。采用CCPAK封裝的MOSFET提供頂部和底部散熱選項，可實(shí)現高功率密度和可靠的解決方案。所有器件封裝均已在JEDEC注冊，并配備Nexperia交互式數據手冊，便于無(wú)縫集成。

標桿器件PSMN1R0-100ASF是一款0.99 mΩ 100 V功率MOSFET，能夠承載460 A電流并達到1.55 KW耗散功率，采用CCPAK1212封裝，僅占用12mm×12mm的電路板空間。PSMN1R0-100CSF的頂部散熱版本也具備類(lèi)似的性能。

優(yōu)越的性能表現與器件的內部結構緊密相關(guān)。CCPAK1212中的“CC”代表銅夾片(Copper Clip)，這意味著(zhù)功率MOSFET的晶圓夾在兩片銅片之間，一側是漏極散熱片，另一側是源極夾片。優(yōu)化后的設計無(wú)需引線(xiàn)鍵合，進(jìn)而可降低導通電阻和寄生電感，提高最大額定電流并改進(jìn)熱性能。

CCPAK1212 NextPower 80/100 V MOSFET適合側重于高效率和高可靠性的耗電工業(yè)應用，包括無(wú)刷直流(BLDC)電機控制、開(kāi)關(guān)電源(SMPS)、電池管理系統(BMS)和可再生能源存儲。這類(lèi)單個(gè)大功率封裝的MOSFET可減少并聯(lián)需求、簡(jiǎn)化設計，并提供更緊湊、更具成本效益的解決方案。

Nexperia此次推出的CCPAK1212系列中，還包括一些為特定應用而設計開(kāi)發(fā)的新型MOSFET (ASFET)，主要用于為日益增強的AI服務(wù)器實(shí)現熱插拔操作。這些器件的安全工作區(SOA)經(jīng)過(guò)強化，可在線(xiàn)性模式轉換期間提供出色的熱穩定性。 

本系列器件提供頂部和底部散熱選項，讓相關(guān)應用的工程師可以靈活選擇散熱途徑，尤其適用于因為某些熱敏感器件限制而無(wú)法直接通過(guò)PCB進(jìn)行散熱的設計。 

Nexperia產(chǎn)品部總經(jīng)理Chris Boyce表示：“盡管我們擁有市場(chǎng)領(lǐng)先的性能，但我們知道，一些客戶(hù)對于采用相對較新的封裝進(jìn)行設計時(shí)仍猶豫不決。為此，我們已經(jīng)向JEDEC標準組織注冊了CCPAK1212，參考編號為MO-359。早些年推出第一款LFPAK MOSFET封裝時(shí)，我們就采用了類(lèi)似的方法，因此現在市場(chǎng)上有許多兼容的器件。當創(chuàng )新能夠為客戶(hù)創(chuàng )造真正的價(jià)值時(shí)，市場(chǎng)很快就會(huì )給予響應?！?nbsp;

所有新款CCPAK1212 MOSFET器件均享受一系列先進(jìn)的設計工具支持，包括熱補償仿真模型。Nexperia還將傳統的PDF數據手冊升級成了用戶(hù)友好型交互式數據手冊，其中新增了一項“圖形轉csv”功能，使工程師能夠下載、分析和解釋每個(gè)器件關(guān)鍵特性背后的數據。這不僅簡(jiǎn)化了設計流程，而且增強了對設計選擇的信心。

Nexperia計劃將CCPAK1212封裝應用到所有電壓范圍的功率MOSFET及其符合車(chē)規級AEC-Q101標準的產(chǎn)品組合，以實(shí)現超高電流和出色熱性能，滿(mǎn)足下一代系統不斷變化的需求。