Vishay新款Gen 4.5 650 V E系列功率MOSFET具有卓越的性能

日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新的Gen 4.5 650 V E系列功率MOSFET---SiHK050N65E，為通信、工業(yè)和計算應用提供高效率和高功率密度。與上一代器件相比，Vishay Siliconix N溝道SiHK050N65E的導通電阻降低了48.2 %，而電阻和柵極電荷乘積（功率轉換應用中650V MOSFET的重要優(yōu)值因數（FOM）降低了65.4 %。

Vishay推出了多種MOSFET技術(shù)，為電源轉換過(guò)程的所有階段提供支持，包括從高壓輸入到最新高科技設備所需的低壓輸出。憑借SiHK050N65E和Gen 4.5 650 V E系列中的其他器件，公司正在滿(mǎn)足電力系統架構的兩個(gè)早期階段中對改進(jìn)效率和功率密度的需求，即功率因數校正（PFC）和后續的DC/DC轉換器模塊。典型的應用包括服務(wù)器、邊緣計算和超級計算機；UPS、高強度放電（HID）燈和熒光燈鎮流器；通信開(kāi)關(guān)模式電源（SMPS）；太陽(yáng)能逆變器；焊接設備；感應加熱系統；電動(dòng)驅動(dòng)和電池充電器。

SiHK050N65E基于Vishay最新的高能效E系列超結技術(shù)，能夠在10V下實(shí)現典型的低導通電阻為0.048 Ω，適合超過(guò)6kW的高功率應用。同時(shí)，650 V器件的擊穿電壓達到額外的50 V，使其可以在200 VAC至277 VAC的輸入電壓范圍內穩定工作，并符合開(kāi)放計算項目的開(kāi)放機架V3（ORV3）標準。此外，MOSFET的超低柵極電荷僅為78 nC，提供了優(yōu)越的FOM值3.74 W*nC，這對減少導通和開(kāi)關(guān)損耗至關(guān)重要，從而進(jìn)一步節省能源并提升效率。這使得器件能夠滿(mǎn)足服務(wù)器電源中特定的鈦效率要求，或者達到96 %的峰值效率。

為了在硬開(kāi)關(guān)拓撲（如PFC電路和雙開(kāi)關(guān)前饋設計）中優(yōu)化開(kāi)關(guān)性能，日前發(fā)布的MOSFET具備較低的有效輸出電容值，Co(er)為167 pF，Co(tr)為1119 pF。器件在電阻乘以Co(er)的FOM上達到業(yè)界新低的8.0 W*pF。SiHK050N65E以PowerPAK? 10 x 12封裝形式提供，并配備Kelvin連接以降低柵極噪聲，同時(shí)提高dv/dt的抗擾性。MOSFET符合RoHS標準而且無(wú)鹵素，經(jīng)過(guò)特別設計以承受雪崩模式下的過(guò)壓瞬態(tài)，100%的UIS測試保證了其極限值。

SiHK050N65E現可提供樣品并已實(shí)現量產(chǎn)。欲了解供貨周期信息，請聯(lián)系您當地的銷(xiāo)售處。